半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，6月25日，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)暨第一屆技術(shù)專家委員會(huì)成功召開。中國(guó)科學(xué)院院士、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主任郝躍，中國(guó)科學(xué)院院士江風(fēng)益，中國(guó)工程院院士歐陽曉平，中國(guó)科學(xué)院院士楊德仁等數(shù)十名國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)和產(chǎn)業(yè)專家出席會(huì)議。華燦光電與國(guó)創(chuàng)中心共建的微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心在會(huì)議上授牌，首席技術(shù)官王江波博士入選第一屆技術(shù)專家委員。

 

圍繞產(chǎn)業(yè)鏈需求，面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向，會(huì)上新啟動(dòng)共建了8家聯(lián)合研發(fā)中心，包括微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。
 

（左三：華燦光電與國(guó)創(chuàng)中心共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心）

 

同時(shí)，國(guó)創(chuàng)中心第一屆技術(shù)專家委員會(huì)正式成立，由來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的六十余位頂尖專家組成。

 

（右四：華燦光電首席技術(shù)官王江波博士入選第一屆技術(shù)專家委員）