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晶盛機電已成功生長出8英寸碳化硅晶體,將提升在第三代半導體材料端的競爭力

日期:2022-09-02 來源:半導體產業(yè)網閱讀:516
核心提示:目前公司已成功生長出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體,并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,實驗線產品已通過下游部分客戶驗證,公司將持續(xù)加強技術創(chuàng)新和工藝積累,實現大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控,進一步提升公司在第三代半導體材料端的競爭力。
半導體產業(yè)網訊:近日,晶盛機電(300316)表示,大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向,在8英寸碳化硅晶片尚未實現產業(yè)化的情況下,6英寸碳化硅晶片將成為市場主流產品。在下游市場需求快速增長和技術進步的驅動下,國內碳化硅產業(yè)將迎來快速發(fā)展期。
 
      晶盛機電是一家國內領先的專注于“先進材料、先進裝備” 的高新技術企業(yè),以“打造半導體材料裝備領先企業(yè),發(fā)展綠色智 能高科技制造產業(yè)”為使命,圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半 導體材料展開。在硅材料領域,公司專注于光伏和集成電路領域兩 大產業(yè)的系列關鍵設備和核心的輔材耗材,公司在光伏產業(yè)鏈裝備 取得了行業(yè)認可的技術和規(guī)模雙領先的地位。
 
       晶盛機電(300316)透露,目前公司已成功生長出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體,并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,實驗線產品已通過下游部分客戶驗證,公司將持續(xù)加強技術創(chuàng)新和工藝積累,實現大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控,進一步提升公司在第三代半導體材料端的競爭力。
 
       晶盛機電表示,公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術已達到國際領先水平。第五代新型單晶爐即將于2023年重磅上市,為行業(yè)注入全新動力。公司產品在半導體和光伏領域均取得了較高市場份額,目前整體供不應求,公司也在加速相應的產能擴建。
 
  報告期內,公司實現營業(yè)收入43.7億元,同比增長91.02%,凈利潤12億,超過100%,其中設備及服務營業(yè)收入35.7億元,同比增長83.78%;材料業(yè)務營業(yè)收入5.5億元,同比增長144.00%。截至2022 年6月30日,公司未完成設備合同總計230.40億元,其中未完成半導體設備合同22億元。
 
  在半導體8-12英寸大硅片設備領域,公司產品在晶體生長、切片、拋光、外延等環(huán)節(jié)已實現8英寸設備的全覆蓋,12英寸長晶、切片、研磨、拋光等設備也已實現批量銷售,產品質量已達到國際先進水平。
 
  藍寶石材料方面,公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術已達到國際領先水平,目前已成功生長出全球領先的700Kg級藍寶石晶體,并實現300Kg級及以上藍寶石晶體的規(guī)模化量產,是掌握核心技術及規(guī)模優(yōu)勢的龍頭企業(yè)。
 
  碳化硅材料方面,公司已成功生長出行業(yè)領先的8英寸碳化硅晶體,并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線,實驗線產品已通過下游部分客戶驗證,公司將持續(xù)加強技術創(chuàng)新和工藝積累,實現大尺寸碳化硅晶體生長和加工技術的自主可控,進一步提升公司在第三代半導體材料端的競爭力。
 
  在輔材耗材領域,公司高品質大尺寸石英坩堝在規(guī)模和技術水平上均達到了行業(yè)領先水平,在半導體和光伏領域取得了較高的市場份額。同時,公司在金剛線領域實現了差異化的技術突破。
 
  關于第五代單晶爐的情況,晶盛機電表示,公司開發(fā)的第五代新型單晶爐除了配置有更強大的硬件引擎之外,其最大的亮點在于改變了傳統的封閉控制系統模式,配置了基于開放架構的用戶可編程的軟件定義工藝平臺,提供可自行構建工藝時序、控制邏輯、核心算法的自主創(chuàng)新條件。將軟件開發(fā)權交給客戶,助力客戶在技術上持續(xù)創(chuàng)新,不斷提升競爭力。第五代單晶爐為光伏產業(yè)開辟了自研設備和通用設備外的平臺設備+專有技術的新局面,為客戶差異化競爭提供新的解決方案。第五代新型單晶爐即將于 2023 年重磅上市,為行業(yè)注入全新動力。
 
  石英坩堝方面,公司于 2017 年開始布局石英坩堝,并在浙江、內蒙和寧夏建立生產基地,實現了規(guī)?;a,可提供半導體和光伏用的高品質大尺寸石英坩堝。公司產品在質量和技術水平領先,尤其是在氣泡密度、產品一致性等參數指標控制上取得了下游客戶和行業(yè)的認可。公司產品在半導體和光伏領域均取得了較高市場份額,目前整體供不應求,公司也在加速相應的產能擴建。
 
  石英砂供供應方面,公司使用的高純石英砂以海外進口為主,同時也采購部分高質量國產石英砂。公司根據行業(yè)發(fā)展趨勢,基于供需關系提前做了相關戰(zhàn)略分析和市場預測,調整供應鏈戰(zhàn)略,與供應商協同進行戰(zhàn)略儲備,強化供應鏈保障。
 
  據晶盛機電介紹,碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表,具有高禁帶寬度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越物理特征,在新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通、航天航空、國防軍工等領域的應用有著不可替代的優(yōu)勢。碳化硅單晶材料主要分為導電型襯底和半絕緣襯底兩種,其中,在導電型襯底上生長碳化硅外延層,可進一步制成功率器件,并應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網、航空航天等領域;在半絕緣型襯底上生長 GaN 外延層,可進一步制成微波射頻器件,應用于 5G 通訊、雷達等領域。
 
       目前,新能源汽車、光伏和充電基礎 設施是碳化硅的主要應用領域,新能源汽車和光伏發(fā)電市場的蓬勃 發(fā)展帶動了碳化硅市場需求的快速增長,根據Yole數據,2021年 全球碳化硅器件市場規(guī)模約10億美元,預計到2027年,碳化硅器件的市場規(guī)模將超過70億美元。市場成長空間巨大。 
 
      碳化硅材料因其技術含量高而呈現難度大、良率低、制作成本 高的特點,目前先進技術及主要市場均被國外廠商占據。國內碳化 硅材料領域的研究從20世紀90年代末開始起步,但受技術門檻較 高、良率低、成本高的因素制約,發(fā)展進程緩慢,導致行業(yè)的整體 產能遠不及市場需求,國內碳化硅襯底主要依賴進口。目前國際上主要量產襯底尺寸集中在4-6英寸,先進廠商已研發(fā)出8英寸襯底 產品。國內目前實現量產主要為4英寸,6英寸產能尚處于起步階段。為提高生產效率并降低成本,大尺寸是碳化硅襯底制備技術的重要發(fā)展方向,在8英寸碳化硅晶片尚未實現產業(yè)化的情況下,6 英寸碳化硅晶片將成為市場主流產品。在下游市場需求快速增長和技術進步的驅動下,國內碳化硅產業(yè)將迎來快速發(fā)展期。 ?
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