士蘭微（600460）(600460.SH)公告，近期，廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司(“士蘭明鎵”)SiC功率器件生產線已實現初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產品各項參數指標達到設計要求，項目取得了階段性進展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設備的安裝、調試，目標是在今年年底形成月產2000片6英寸SiC芯片的生產能力。

公告顯示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內同類器件結構的先進水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅功率模塊上，參數指標較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。

據悉，作為第三代半導體材料的典型代表，SiC具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應用場合下極為理想的半導體器件材料。在新能源汽車領域，SiC功率半導體主要用于驅動和控制電機的逆變器、車載DC/DC轉換器、車載充電器(OBC)等。車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢，可實現充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。