5月3日，國(guó)際著名半導(dǎo)體公司英飛凌科技股份公司放出消息，英飛凌正推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化，并與中國(guó)碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議，以確保獲得更多具有競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅來源。天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來長(zhǎng)期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額。

　　這是國(guó)產(chǎn)碳化硅加速融入國(guó)際供應(yīng)鏈體系的一個(gè)重要標(biāo)志性事件。英飛凌是國(guó)際著名的半導(dǎo)體公司，在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占有率國(guó)際第一。近年來，英飛凌公司不斷加強(qiáng)其SiC制造能力，力爭(zhēng)在2030年達(dá)成30%全球SiC市場(chǎng)份額。在過去幾年，英飛凌一直在與全球碳化硅材料主要供應(yīng)商紛紛簽訂長(zhǎng)期供貨協(xié)議。

　　英飛凌科技首席采購官Angelique van der Burg稱，英飛凌和天科合達(dá)所簽訂的協(xié)議將有助于保證整個(gè)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，同時(shí)滿足中國(guó)市場(chǎng)對(duì)用于汽車、太陽能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)的SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷增長(zhǎng)的需求，并將推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料SiC的快速發(fā)展。此外，天科合達(dá)還將助力英飛凌向8英寸晶圓過渡。

　　天科合達(dá)CEO楊建表示，此次雙方合作協(xié)議的簽訂，是英飛凌對(duì)于國(guó)產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品質(zhì)量的充分肯定，也是英飛凌完善供應(yīng)鏈建設(shè)的一次關(guān)鍵選擇。英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn)，天科合達(dá)將有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

　　“國(guó)際碳化硅器件廠商與材料廠商簽訂長(zhǎng)期合約，一直是普遍做法，英飛凌鎖定天科合達(dá)的部分產(chǎn)能，既有利于推動(dòng)天科合達(dá)技術(shù)進(jìn)步，也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng)，是一個(gè)雙贏的選擇。”對(duì)于此次簽約，中科院物理研究所碳化硅團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人、天科合達(dá)首席科學(xué)家陳小龍?jiān)u價(jià)道。

天科合達(dá)CMP拋光車間-工程師手拿6和8英寸襯底正在技術(shù)討論

　　此外，陳小龍還在談起就國(guó)產(chǎn)碳化硅的重要優(yōu)勢(shì)時(shí)指出，碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料，應(yīng)用前景廣闊，能大大助力于“雙碳”戰(zhàn)略的實(shí)施。

　　原因在于，碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，和第一代以硅為主、第二代以砷化鎵為主的半導(dǎo)體材料相比，具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢(shì)，特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。

　　“比如電動(dòng)汽車應(yīng)用碳化硅器件做逆變器、變壓器，甚至是車載充電樁，可以做得體積小，重量輕，這樣提高電動(dòng)汽車的續(xù)航里程，同時(shí)轉(zhuǎn)換效率高，能夠有效節(jié)能。”陳小龍舉例說，在光伏逆變器和儲(chǔ)能逆變器領(lǐng)域，碳化硅器件能提高電能利用率，大大降低能耗損失。未來，碳化硅器件將會(huì)覆蓋更高電壓等級(jí)器件，可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。碳化硅功率器件導(dǎo)通電阻底，開關(guān)頻率高，能夠有效降低系統(tǒng)能耗，達(dá)到節(jié)能減排的目的，是為“雙碳”戰(zhàn)略服務(wù)的重要材料。

　　談起我國(guó)的碳化硅技術(shù)發(fā)展，陳小龍表示，我國(guó)碳化硅技術(shù)起步較晚，天科合達(dá)是中科院物理研究所產(chǎn)學(xué)研合作成功的典型案例，一直在推動(dòng)著國(guó)內(nèi)碳化硅技術(shù)進(jìn)步。

　　“碳化硅(SiC)晶體生長(zhǎng)極其困難，上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握SiC晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)，我國(guó)起步較晚。為推動(dòng)SiC晶體國(guó)產(chǎn)化，避免我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被‘卡脖子’，中科院物理研究所團(tuán)隊(duì)從1999年開始，從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究，自主研發(fā)突破了從生長(zhǎng)設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)和加工等關(guān)鍵技術(shù)。”陳小龍介紹，經(jīng)過20多年的努力，團(tuán)隊(duì)形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線，進(jìn)而推動(dòng)國(guó)內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達(dá)成立。天科合達(dá)不斷發(fā)展壯大，取得了良好的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益，帶動(dòng)了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展。

　　此外，陳小龍還透露，目前中科院物理所研發(fā)團(tuán)隊(duì)還在關(guān)注碳化硅液相法晶體生長(zhǎng)技術(shù)，希望基礎(chǔ)研究上更進(jìn)一步，為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。

　　另據(jù)記者了解，天科合達(dá)于2006年成立，成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所。近年來，伴隨著“雙碳”戰(zhàn)略的深入實(shí)施以及國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體的大力支持，以新能源汽車、光伏風(fēng)電、儲(chǔ)能設(shè)施、軌道交通、5G通訊等為主要應(yīng)用的碳化硅市場(chǎng)快速擴(kuò)容。以天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、爍科晶體等為代表的國(guó)內(nèi)碳化硅材料企業(yè)迎來快速發(fā)展的時(shí)機(jī)。天科合達(dá)在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域尤為出色，占據(jù)了國(guó)內(nèi)一半以上的市場(chǎng)份額，2021年國(guó)際市場(chǎng)占有率排名第四，在產(chǎn)品良率方面也處于行業(yè)領(lǐng)先地位。并獲得國(guó)家政策基金和產(chǎn)業(yè)基金的大力支持，還獲得了國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時(shí)代、潤(rùn)科基金等的投資支持。

來源：中國(guó)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào)