據(jù)eeNews報道，安森美正在開發(fā)使用溝槽結(jié)構(gòu)而不是平面結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET，將于今年晚些時候推出，預(yù)計2024年會出樣。該公司在捷克布爾諾附近擁有SiC外延片工廠，并在韓國的一家晶圓廠進(jìn)行設(shè)備制造。 轉(zhuǎn)向溝槽結(jié)構(gòu)允許在150毫米（6英寸）晶圓上構(gòu)建更多器件，從而降低器件成本。該公司還有一個用于200毫米（8英寸）SiC晶圓生產(chǎn)的工程計劃。

EliteSiC M3S器件針對800 V電動汽車(EV)車載充電器(OBC)和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，例如EV充電、太陽能和儲能系統(tǒng)。除此之外，還用于采用標(biāo)準(zhǔn)F2封裝的低Rds(on)半橋功率集成模塊 (PIM)。這些模塊針對工業(yè)應(yīng)用，非常適合DC-AC、AC-DC和DC-DC大功率轉(zhuǎn)換級。它們通過優(yōu)化的直接鍵合銅設(shè)計提供更高級別的集成，以實現(xiàn)并聯(lián)開關(guān)之間的平衡電流共享和熱分布。PIM旨在為能源基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車直流快速充電和不間斷電源(UPS)提供高功率密度。

“安森美最新一代的汽車和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將使設(shè)計人員能夠減少他們的應(yīng)用足跡和系統(tǒng)冷卻要求，”安森美高級副總裁兼高級電源部門總經(jīng)理Asif Jakwani說。“這有助于設(shè)計人員開發(fā)具有更高效率和更高功率密度的大功率轉(zhuǎn)換器。”、

（來源：集微網(wǎng)）