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華為公布“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”專利

日期:2023-08-08 閱讀:318
核心提示:天眼查顯示,近日華為技術有限公司新增多條專利信息,其中一條發(fā)明專利名稱為芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備

天眼查顯示,近日華為技術有限公司新增多條專利信息,其中一條發(fā)明專利名稱為“芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備”,公開號為CN116504752A。

摘要顯示,本申請實施例提供一種芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備,用于簡化芯片堆疊結構制備工藝,涉及芯片技術領域。該芯片堆疊結構包括:至少兩個堆疊設置的芯片,每個芯片包括布線層,布線層中設置有導電結構;其中,至少兩個堆疊設置的芯片包括:堆疊設置的第一芯片和第二芯片,第一芯片和第二芯片之間通過鍵合層電連接;鍵合層包括第一區(qū)域、環(huán)繞第一區(qū)域的第二區(qū)域,以及除第一區(qū)域和第二區(qū)域以外的第三區(qū)域,鍵合層的第一區(qū)域在第一芯片中的布線層上的投影與第一芯片的布線層中的導電結構至少部分重合;鍵合層的第一區(qū)域和第三區(qū)域中設置有金屬鍵合層。

說明書中提到,該專利涉及的技術領域為芯片技術領域,尤其涉及一種芯片堆疊結構及其形成方法、芯片封裝結構、電子設備,該技術將被用于簡化芯片堆疊結構制備工藝。

(來源:集微)

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