自安世半導(dǎo)體(Nexperia)官網(wǎng)獲悉，當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月27日，安世半導(dǎo)體宣布計(jì)劃投資2億美元，用于在德國(guó)漢堡市開(kāi)發(fā)以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的下一代寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)，并在漢堡工廠(Hamburg site)建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。

與此同時(shí)，硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能將會(huì)增加。該項(xiàng)投資是在該生產(chǎn)基地成立100周年之際，與漢堡經(jīng)濟(jì)事務(wù)部長(zhǎng)Melanie Leonhard博士共同宣布的。

聲明中稱，為了滿足對(duì)高效功率半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的長(zhǎng)期需求，安世半導(dǎo)體將從2024年6月開(kāi)始在德國(guó)開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)SiC、GaN和Si三種技術(shù)，這意味著安世半導(dǎo)體正在為電氣化和數(shù)字化領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)提供支持。

安世半導(dǎo)體首席運(yùn)營(yíng)官兼董事總經(jīng)理Achim Kempe表示，這項(xiàng)投資加強(qiáng)了安世作為節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商的地位。未來(lái)，漢堡工廠將覆蓋全系下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，同時(shí)仍然是最大的小信號(hào)二極管和晶體管工廠。安世將繼續(xù)致力于為標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用和功率密集型應(yīng)用生產(chǎn)高質(zhì)量、低成本的半導(dǎo)體。

2024年6月，安世半導(dǎo)體首條高壓GaN d-mode晶體管和SiC二極管生產(chǎn)線投產(chǎn)，下一個(gè)里程碑將是SiC MOSFET和低壓GaN HEMT 8英寸現(xiàn)代化高性價(jià)比生產(chǎn)線，這些生產(chǎn)線將在漢堡工廠未來(lái)兩年內(nèi)建成。該投資將有助于實(shí)現(xiàn)漢堡工廠現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施的自動(dòng)化，并擴(kuò)大硅生產(chǎn)能力。隨著潔凈室面積的擴(kuò)大，新的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室正在建設(shè)中，以繼續(xù)確保未來(lái)從研究到生產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡。