近日，備受矚目的第31屆半導體年度獎頒獎典禮在日本東京舉行。來自濟南的半導體企業(yè)——山東天岳先進科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破，榮獲由日本權(quán)威半導體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導體電子材料”類金獎。這是中國企業(yè)在該獎項設立31年以來的首次問鼎，標志著我國在半導體關(guān)鍵基礎(chǔ)材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導體材料技術(shù)的國際領(lǐng)先地位。

半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設備、器件及材料三大領(lǐng)域的杰出技術(shù)創(chuàng)新，該獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業(yè)權(quán)威性著稱。此次，是中國企業(yè)在該獎項設立31年以來的首次問鼎。

山東天岳先進科技股份有限公司市場總監(jiān)王雅儒介紹，該獎項是由日本的行業(yè)專家從全球的優(yōu)秀技術(shù)中投票選舉產(chǎn)生，之前獲獎的都是英偉達索尼美光東芝等知名企業(yè)，本次能榮獲金獎，體現(xiàn)了天岳公司在國際上的影響力，在眾多的電子材料當中，該獎項首次將最高榮譽授予了碳化硅襯底材料，不僅是對碳化硅行業(yè)廣闊前景的一種關(guān)注和認可，更是對我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的肯定。

此次，天岳先進能夠歷史性獲獎，和企業(yè)長期聚焦于碳化硅襯底材料技術(shù)，并在此領(lǐng)域取得的革命性突破密不可分。碳化硅作為第三代半導體的基石，其襯底材料的品質(zhì)與制備技術(shù)直接決定了整個產(chǎn)業(yè)鏈的性能、成本和下游應用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G／6G通信、數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本所在。長期以來，高品質(zhì)、大尺寸碳化硅襯底的制備技術(shù)壁壘極高，是國際知名企業(yè)競爭的焦點。

山東天岳先進科技股份有限公司市場總監(jiān)王雅儒介紹，想要實現(xiàn)碳化硅襯底材料優(yōu)良的物理性能，就必須在制備過程當中保證原子排列是非常均一的，就相當于是在一個黑匣子里面去控制原子排列，每一層的結(jié)構(gòu)都必須是一樣的，或者說材料內(nèi)部的任何一個地方取出來的成分和結(jié)構(gòu)都必須得是這樣的，它的制備過程是非常精密的。另外這種材料也非常硬，它的硬度僅次于金剛石，要把它加工成0.3毫米的片狀狀態(tài)，它表面的加工精度要達到0.1納米，所以這個材料的制備和加工的技術(shù)壁壘都非常高。山東天岳先進科技股份有限公司自成立以來十幾年堅持自主創(chuàng)新，鼓勵研發(fā)人員自己提出課題，逐個攻破，在業(yè)內(nèi)率先突破了12英寸技術(shù)（碳化硅襯底技術(shù)），這也是全球最大尺寸，實現(xiàn)了從跟跑到領(lǐng)跑的跨越。

當前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正經(jīng)歷深刻調(diào)整。此次榮獲半導體年度獎金獎，不僅是天岳先進發(fā)展歷程中的重要里程碑，也有力證明了中國企業(yè)在突破半導體關(guān)鍵核心技術(shù)領(lǐng)域所具備的創(chuàng)新能力。

“這次獲獎給我們注入了更大信心和動力，我們將以此次金獎為新起點，加速構(gòu)建覆蓋研發(fā)，量產(chǎn)到應用的全球核心競爭力，把企業(yè)做成國際著名的半導體公司，為未來科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入中國力量。”山東天岳先進科技股份有限公司黨委書記夏寧武說。

近年來，濟南逐步構(gòu)建起以服務器為核心，半導體材料為引領(lǐng)，集成電路為基礎(chǔ)的電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局，2024 年，全市電子信息產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)營收1643.9億元，同比增長51.7%，增速高于全國43.7個百分點，位居全省首位；2025年1-4月實現(xiàn)營收948.2億元，同比增速182.4%。濟南在半導體材料研制、EDA工具研發(fā)、存儲控制及加解密芯片研發(fā)、功率器件和分立器件制造等領(lǐng)域形成了自己的特色，尤其在寬禁帶半導體材料方面走在全國前列。

來源：天下泉城客戶端