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【IFWS2024】第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)日程出爐

日期:2024-11-01 閱讀:277
核心提示:IFWS分會(huì)之一的“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)“最新報(bào)告日程正式出爐。將于11月20日,在蘇州國(guó)際博覽中心G館 ? G103-104召開(kāi),誠(chéng)邀邀請(qǐng)業(yè)界同仁參與。

 頭圖

2024年11月18-21日,第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。 本屆論壇由蘇州實(shí)驗(yàn)室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)主辦,國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(蘇州)(NCTIAS)、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。 

目前,論壇的”第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)“日程出爐,工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員陳媛、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書(shū)長(zhǎng)高偉受邀將共同主持研討會(huì)。 

屆時(shí),重慶大學(xué)教授曾正,清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司研發(fā)總監(jiān)孫博韜,忱芯科技(上海)有限公司總經(jīng)理毛賽君,深圳平湖實(shí)驗(yàn)室失效分析首席專家何光澤,工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員雷志鋒,南京大學(xué)副研究員周峰,東南大學(xué)博士后李勝,廣東工業(yè)大學(xué)教授賀致遠(yuǎn)等來(lái)自產(chǎn)學(xué)研用不同環(huán)節(jié)的專家們齊聚,分享精彩主題報(bào)告,共同探討相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、檢測(cè)技術(shù)、解決方案以及技術(shù)研究進(jìn)展,敬請(qǐng)關(guān)注! 

分會(huì)詳細(xì)日程

 

第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)

The Advanced Semiconductor Standard and Testing Seminar

時(shí)間:202411月20日

地點(diǎn):蘇州國(guó)際博覽中心G館 • G103-104

Time: Nov 20, 09:00-12:00

Location: Suzhou International Expo Centre • G103-104

主持人        陳媛  工業(yè)和信息化部電子第五研究所  研究員

Moderato    高偉  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟  副秘書(shū)長(zhǎng)

14:00—14:10

領(lǐng)導(dǎo)致辭

14:10—14:30

SiC功率器件開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法十議:T/CASAS 033-2024標(biāo)準(zhǔn)解讀

曾 正 教授 重慶大學(xué)

14:30—14:50

基于SiC MOSFET可靠性標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品驗(yàn)證與失效機(jī)制

孫博韜 研發(fā)總監(jiān) 清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司

14:50—15:10

SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)體系符合性測(cè)試設(shè)備挑戰(zhàn)與整體解決方案

毛賽君 總經(jīng)理 忱芯科技(上海)有限公司

15:10—15:30

面向SiC/GaN功率器件失效分析的測(cè)試技術(shù)與典型應(yīng)用

何光澤 失效分析首席專家 深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

15:30—15:40

休息

15:40—16:00

面向新能源應(yīng)用的電力電子器件大氣中子單粒子燒毀風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估技術(shù)

雷志鋒 研究員 工業(yè)和信息化部電子第五研究所

16:00—16:20

面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體GaN應(yīng)用的紫外脈沖激光輻照實(shí)驗(yàn)技術(shù)

周 峰 副研究員 南京大學(xué)

16:20—16:40

GaN HEMT功率器件壽命預(yù)測(cè)SPICE模型研究

李 勝 博士后 東南大學(xué)

16:40—17:00

動(dòng)態(tài)應(yīng)力下GaN功率器件閾值電壓不穩(wěn)定性機(jī)理研究

賀致遠(yuǎn) 教授 廣東工業(yè)大學(xué)

17:00—17:30

交流與討論

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