國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的專利，公開(kāi)號(hào) CN 119181725 A，申請(qǐng)日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，其中半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：襯底、外延阻擋層、第一外延層、阻擋柵以及第二外延層，阻擋柵包括至少兩個(gè)無(wú)摻雜結(jié)構(gòu)層。本發(fā)明通過(guò)阻擋柵的設(shè)計(jì)可以降低外延自摻雜效應(yīng)，解決外延層過(guò)渡區(qū)平緩的問(wèn)題。