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標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

日期:2025-04-18 閱讀:259
核心提示:2025年4月15日,按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(CASAS)相關(guān)管理辦法,經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由忱芯科

 2025年4月15日,按照第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(CASAS)相關(guān)管理辦法,經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由忱芯科技(上海)有限公司牽頭提出的《SiC MOSFET功率模塊有功對拖測試方法》、《SiC MOSFET器件寄生雜感與動(dòng)態(tài)測試回路雜感測試方法》、《SiC MOSFET器件交流-濕度-溫度循環(huán)試驗(yàn)方法》3項(xiàng)SiC MOSFET方面的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)建議,詳細(xì)信息如下:

 

秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知,組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組,請CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件(casas@casa-china.cn)。

  

忱芯科技(上海)有限公司

 

忱芯科技(UniSiC)是功率半導(dǎo)體自動(dòng)化測試系統(tǒng)解決方案創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,產(chǎn)品可覆蓋SiC、GaN以及Si基功率半導(dǎo)體器件各測試環(huán)節(jié),為功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)、新能源車廠及Tier1、功率器件設(shè)計(jì)與封裝企業(yè)提供精準(zhǔn)、可靠、高性價(jià)比的測試解決方案。 

忱芯科技的SiC功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)產(chǎn)品包括:晶圓級動(dòng)態(tài)WLR測試系統(tǒng)、芯片級KGD測試系統(tǒng)、雙極退化測試系統(tǒng)、動(dòng)態(tài)測試系統(tǒng)、靜態(tài)測試系統(tǒng)、動(dòng)態(tài)可靠性測試系統(tǒng)、連續(xù)功率測試系統(tǒng)等,全面覆蓋功率半導(dǎo)體晶圓級測試、芯片級測試、單管/模塊級測試和系統(tǒng)級測試,可滿足實(shí)驗(yàn)室與生產(chǎn)線的多種場景需求。 

忱芯科技已完成了從研發(fā),測試到集成、銷售的完整產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋,成功覆蓋了從IDM、封測企業(yè)、新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈,高端醫(yī)療等領(lǐng)域的多家行業(yè)內(nèi)標(biāo)桿性頭部企業(yè):同時(shí),忱芯科技與國內(nèi)眾多知名高校和第三代半導(dǎo)體研發(fā)平臺也已展開了實(shí)質(zhì)性的商務(wù)合作。

 

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