全新的1200V SiCPAK™功率模塊系列，采用先進(jìn)環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，通過隔絕濕氣入侵以承受高濕度惡劣環(huán)境，并通過降低功率與溫度變化引起的性能衰減以穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)更高的熱耐性。 

在經(jīng)歷1000次熱沖擊測(cè)試（-40°C至+125°C）后，納微半導(dǎo)體SiCPAK™模塊的熱阻增加量比傳統(tǒng)硅膠填充殼體式模塊低5倍。此外，所有硅膠填充模塊在以上熱沖擊測(cè)試后均未通過隔離測(cè)試，而SiCPAK™環(huán)氧樹脂灌封模塊仍保持合格隔離等級(jí)。 

憑借超過20年的碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位，納微半導(dǎo)體GeneSiC™獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)不僅可以提供業(yè)界領(lǐng)先的溫域性能，還能將損耗降低20%，同時(shí)運(yùn)行的溫度更低并具有更卓越的魯棒性，從而為系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性奠定基礎(chǔ)。 

“溝槽輔助平面柵”技術(shù)使得RDS(ON)相較于溫度的變化更穩(wěn)定，在更寬運(yùn)行范圍內(nèi)保持最低功率損耗，與競(jìng)品相比在高溫實(shí)際工況下RDS(ON)降低達(dá)20%。此外，所有GeneSiC™碳化硅MOSFET均具備已公布的100%全測(cè)雪崩能力（行業(yè)最高水平），短路耐受能力提升達(dá)30%，并具備便于并聯(lián)的嚴(yán)格閾值電壓分布。