由北京大學(xué)東莞光電研究院牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CSA 102-202x《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試 白光干涉法》已形成征求意見(jiàn)稿，現(xiàn)正式面向CSA聯(lián)盟會(huì)員單位征集意見(jiàn)，為期一個(gè)月，2025年6月6日截止。征求意見(jiàn)稿CSAS秘書(shū)處郵件發(fā)送至聯(lián)盟會(huì)員單位，未收到的會(huì)員單位及非聯(lián)盟會(huì)員單位如有需要，可發(fā)郵件至：csas@china-led.net

T/CSA 102-202x《異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試 白光干涉法》

本文件描述了使用白光干涉法測(cè)試異質(zhì)外延單一結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延層厚度的試驗(yàn)條件、儀器設(shè)備、樣品、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理、質(zhì)量保證和控制，以及試驗(yàn)報(bào)告。 

本文件適用于異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度（范圍為0.1 μm至100 μm）的測(cè)試。AlN、InN、AlGaN和InGaN在異質(zhì)外延上的單一結(jié)構(gòu)膜層厚度的測(cè)試可參照?qǐng)?zhí)行。

（來(lái)源：半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟）