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Wolfspeed推出新型頂部散熱(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

日期:2025-07-07 閱讀:265
核心提示:Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基二極管分立器件產(chǎn)品線,新增采用頂部散熱(TSC)封裝的 U2 系列產(chǎn)

 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)MOSFET 和肖特基二極管分立器件產(chǎn)品線,新增采用頂部散熱(TSC)封裝的 U2 系列產(chǎn)品。該系列提供 650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng),能顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率,同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。


應(yīng)用領(lǐng)域:  

  • 電動汽車車載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施

  • 電動汽車與工業(yè)暖通空調(diào)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動

  • 高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器  

  • 太陽能及儲能系統(tǒng)  

  • 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動  

  • 工業(yè)電源  

產(chǎn)品特性:

  • 提供滿足 JEDEC 與 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的選項(xiàng)

  • 低剖面、表面貼裝設(shè)計(jì)  

  • 頂部散熱,熱阻(Rth)低  

  • 碳化硅(SiC)MOSFET 電壓范圍:750 V 至 1200 V  

  • 碳化硅(SiC)肖特基二極管計(jì)劃覆蓋 650 V 至 1200 V  

優(yōu)勢: 

  • 碳化硅(SiC)頂部散熱(TSC)封裝中最大的爬電距離  

  • 通過優(yōu)化 PCB 布局實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)功率密度  

  • 表面貼裝設(shè)計(jì)支持大規(guī)模量產(chǎn)  

新特性:新款頂部散熱(TSC)封裝的優(yōu)勢

大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝分立功率半導(dǎo)體器件通過底部與 PCB 直接接觸的方式散熱,并依賴安裝在 PCB 下方的散熱器或冷卻板。這種散熱方式廣泛應(yīng)用于各類電力電子場景,尤其在 PCB 安裝空間和散熱器重量不受限制的應(yīng)用中尤為常見。

相比之下,頂部散熱(TSC)器件通過封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱。在頂部散熱(TSC)封裝內(nèi)部,芯片采用倒裝方式布置于封裝上層,使熱量能夠直接傳導(dǎo)至頂部表面。這類器件特別適合汽車及電動交通系統(tǒng)等高性能應(yīng)用場景——這些領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏?、先進(jìn)熱管理方案和小型化封裝有著嚴(yán)苛要求。在這些應(yīng)用中,頂部散熱(TSC)器件通過實(shí)現(xiàn)最大功率耗散并優(yōu)化熱性能,有效滿足了系統(tǒng)的冷卻需求。

頂部散熱(TSC)設(shè)計(jì)還實(shí)現(xiàn)了 PCB 的雙面利用,因?yàn)榈装灞砻娌辉傩枰獮樯崞黝A(yù)留接口。將散熱器從熱路徑中移除,不僅顯著降低了系統(tǒng)整體熱阻,還支持自動化組裝工藝——這一優(yōu)勢可大幅提升生產(chǎn)效率,從而打造出更具成本效益的解決方案。


SpeedVal™ Kit 評估平臺:輕松測試 U2 頂部散熱(TSC)器件

Wolfspeed SpeedVal Kit 模塊化評估平臺為工程師提供了一套靈活的構(gòu)建模塊,可在實(shí)際工作點(diǎn)對系統(tǒng)性能進(jìn)行電路內(nèi)評估,從而加速從硅器件向碳化硅(SiC)的轉(zhuǎn)型過渡。最新發(fā)布的三相評估主板不僅支持高功率靜態(tài)負(fù)載測試,更能為先進(jìn)電機(jī)控制固件的開發(fā)提供基礎(chǔ)平臺。

針對 Wolfspeed 頂部散熱(TSC)MOSFET 不同導(dǎo)通電阻 Rdson 的評估板即將推出。  

 

 

(來源:Wolfspeed)

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