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標(biāo)準(zhǔn) | ALN位錯密度/吸收系數(shù) 2項(xiàng)測試方法發(fā)布

日期:2025-05-20 閱讀:255
核心提示:2025年5月20日,由奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司牽頭制定的T/CASAS 0532025《氮化鋁拋光片位錯密度的測試 腐蝕坑法》以及由中國

 

2025年5月20日,由奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司牽頭制定的T/CASAS 053—2025《氮化鋁拋光片位錯密度的測試 腐蝕坑法》以及由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牽頭制定的T/CASAS 054—2025《氮化鋁拋光片吸收系數(shù)測試方法》,遵循CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定流程,經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程,上述兩項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)正式面向產(chǎn)業(yè)發(fā)布。

 

 

T/CASAS 053—2025《氮化鋁拋光片位錯密度的測試 腐蝕坑法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術(shù)測試氮化鋁拋光片中位錯密度的方法。適用于拋光加工后位錯密度小于107 個/cm2的氮化鋁拋光片位錯密度的測試,適用于1 inch、2 inch、3 inch、4 inch直徑氮化鋁拋光片的測試。氮化鋁外延片可參照使用。

【本文件主要起草單位】

奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司、北京中材人工晶體研究院有限公司、北京大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、深圳大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、山東大學(xué)、中國人民解放軍國防科技大學(xué)、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、至芯半導(dǎo)體(杭州)有限公司、蘇州紫燦科技有限公司、北京大學(xué)東莞光電研究院、山東力冠微電子裝備有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【本文件主要起草人】

王琦琨、吳亮、周振翔、于彤軍、程紅娟、武紅磊、劉志彬、張雷、王廣、張童、倪逸舟、岳金順、王新強(qiáng)、宋德鵬、高偉。

T/CASAS 054—2025《氮化鋁拋光片吸收系數(shù)測試方法》描述了氮化鋁(AlN)拋光片光吸收系數(shù)的測試方法,包括原理、儀器設(shè)備、測試條件、樣品、測試步驟、結(jié)果計(jì)算和測試報告。適用于氮化鋁拋光片的光學(xué)質(zhì)量控制和評估。氮化鋁外延片可參照使用。

【本文件主要起草單位】

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、奧趨光電技術(shù)(杭州)有限公司、北京大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所、山東大學(xué)、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、山西中科潞安半導(dǎo)體技術(shù)研究院有限公司、北京大學(xué)東莞光電研究院、山東力冠微電子裝備有限公司、北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。

【本文件主要起草人】 

劉志彬、吳亮、于彤軍、程紅娟、張雷、徐廣源、張童、王新強(qiáng)、宋德鵬、高偉。

(來源:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟)

 

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