6月25日，雷電微力在深交所互動(dòng)易平臺(tái)回復(fù)投資者提問時(shí)表示，公司研制低成本低剖面氮化鎵組件，部分產(chǎn)品已量產(chǎn)。第三代半導(dǎo)體氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有更高的電子遷移率和更寬的能帶間隙，在功率、速度和效率方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。氮化鎵組件的研發(fā)及應(yīng)用，為公司產(chǎn)品的小型化、低成本、高效率發(fā)展奠定了重要支撐。

 此外，針對(duì)公司產(chǎn)品在特種領(lǐng)域外是否能應(yīng)用于低空經(jīng)濟(jì)等領(lǐng)域問題，雷電微力答復(fù)表示，公司招股說明書中所列產(chǎn)品中有兩個(gè)研制項(xiàng)目已完成定型批產(chǎn)，其余項(xiàng)目尚處于不同的研制階段。公司在毫米微波系統(tǒng)細(xì)分領(lǐng)域持續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，隨著天基互聯(lián)網(wǎng)、低空經(jīng)濟(jì)、衛(wèi)星通信等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展，毫米波微系統(tǒng)行業(yè)發(fā)展方興未艾。

 目前，公司在保持細(xì)分領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，已具備多元化發(fā)展的技術(shù)儲(chǔ)備和體系基礎(chǔ)，在芯片設(shè)計(jì)、組件模塊制造、封裝工藝、測(cè)試等方面積累了關(guān)鍵核心技術(shù)及能力。得益于相關(guān)技術(shù)的大帶寬、高功率、高可靠等特點(diǎn)，公司產(chǎn)品可以應(yīng)用于低空經(jīng)濟(jì)等相關(guān)領(lǐng)域。

公司將保持持續(xù)的研發(fā)創(chuàng)新，做好技術(shù)與產(chǎn)品儲(chǔ)備，強(qiáng)化與客戶的深度合作，以產(chǎn)業(yè)鏈延伸、拓展新興應(yīng)用場(chǎng)景等方式為抓手，推動(dòng)市場(chǎng)的多元布局，為公司長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展打開新空間。

（來源：上海證券報(bào)·中國證券網(wǎng)）