亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

晶圓級高精度倒裝鍵合機采購招標公告

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

廈門大學(xué)-廈門市未來顯示技術(shù)研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)團隊研制出毫秒級可集成量子存儲器

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

三星啟動1nm工藝研發(fā) 2029年后量產(chǎn)

中南大學(xué)何軍、鐘綿增，浙江大學(xué)李京波：通過調(diào)控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

聯(lián)合微電子中心研發(fā)硅光集成光纖陀螺芯片成功下線

中國科學(xué)院關(guān)于EDA技術(shù)創(chuàng)新的三篇論文被DAC2025錄用

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進展

全球首發(fā)！復(fù)旦團隊研制二維半導(dǎo)體芯片“無極”

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導(dǎo)體試產(chǎn)

采用金屬有機化學(xué)氣相沉積原位脈沖鋁原子輔助法生長的（001）β-Ga2O3外延層

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

寧波材料所在超寬禁帶半導(dǎo)體基日盲紫外探測領(lǐng)域取得系列進展

中科院DUV光源新突破！

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領(lǐng)域取得新進展

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

清華大學(xué)化學(xué)系馬冬昕團隊開發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點深紅光器件

浙大團隊最新《Science》：半赫斯勒窄帶半導(dǎo)體材料的壓電效應(yīng)

第1頁/共34頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部