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復(fù)旦微電董事會換屆完成，張衛(wèi)、沈磊、閆娜等復(fù)旦教授當選

宇樹科技完成C輪融資交割

兩項碳化硅標準，立項！

中電化合物與甬江實驗室簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議，推動SiC材料在AR領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

新突破！我國成功研發(fā)蚊子大小仿生機器人

敏芯股份入選江蘇省國家專利產(chǎn)業(yè)化樣板企業(yè)培育庫

英特爾公司計劃在全球范圍內(nèi)裁員規(guī)?？赡艹^1萬人

輝宏激光完成千萬級的融資，系國產(chǎn)高功率超快激光器的整機系統(tǒng)和核心器件廠商

為深化全球化戰(zhàn)略布局，臥龍電驅(qū)擬在港交所發(fā)行股票上市！

德州儀器（TI）宣布計劃在美國投資超600億美元建設(shè)半導(dǎo)體工廠

我國磁懸浮技術(shù)獲新突破！零百加速不到1秒、極速650公里/時

譯碼半導(dǎo)體新一代集成電路研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目正式奠基

光谷這些高校、企業(yè)獲中國專利獎

芯通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項目喜結(jié)金頂

晶盛機電獲得發(fā)明專利授權(quán)：“碳化硅晶錠激光切割方法及切割系統(tǒng)”

標準 | 《半橋拓撲中SiC MOSFET開關(guān)損耗準確評估測試方法》立項

標準 | 《三電平SiC MOSFET功率模塊開關(guān)動態(tài)特性測試方法》立項

南京大學團隊在國際功率半導(dǎo)體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

矽磊電子深耕射頻微波芯片市場，實現(xiàn)“化合物基+硅基+SiP”全國產(chǎn)化替代

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應(yīng)用

突發(fā)！半導(dǎo)體材料大廠董事長被調(diào)查！

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兆芯集成科創(chuàng)板IPO申請獲受理

國內(nèi)首條碳基集成電路生產(chǎn)線于重慶投運！

國產(chǎn)突破！無錫先為科技首臺GaN MOCVD外延設(shè)備成功發(fā)貨

中國臺灣地區(qū)將華為和中芯國際列入實體名單，外交部回應(yīng)

投資5.5億元縱慧芯光FabX成功實現(xiàn)項目通線

通知 | “園區(qū)行”--內(nèi)蒙古托克托縣工業(yè)園區(qū)考察

沙特KAUST李曉航團隊：STO新型制備工藝實現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

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