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武漢大學聯(lián)合中國科學院微電子研究所與青禾晶元在表面活化鍵合4H-SiC的熱物性表征與聲子熱輸運研究領(lǐng)域取得新進展

CSPSD 2024成都前瞻|中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所程新紅：SiC MOSFET 過流保護技術(shù)分析與研發(fā)

CSPSD 2024成都前瞻 |中國科學院微電子研究所蔣其夢：氮化鎵功率器件開關(guān)安全工作區(qū)的研究

2024九峰山論壇｜中國科學院院士劉勝：為化合物半導體應(yīng)用開拓更多“新賽道”

中國科學院微電子所在厚膜氮化鎵與多晶金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展

【招聘】中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所寬禁帶半導體方向誠聘博士后

中國科學院半導體研究所在脈沖型人工視覺芯片研制取得新進展

中科院物理所陳小龍團隊：晶圓級立方碳化硅單晶生長取得突破

中國科學院半導體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

中國科學院半導體所榮獲北京市自然科學獎一等獎

2023年中國科學院“年度創(chuàng)新人物“丨陳小龍：國產(chǎn)化碳化硅晶片的開路人

中國科學院長春光機所黎大兵研究團隊喜獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎

中國科學院在氮化鎵器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進展

IFWS 2023│中國科學院半導體所閆果果：6英寸碳化硅外延生長及深能級缺陷研究

IFWS 2023│中國科學院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長GaN單晶襯底的研究進展

IFWS&SSLCHINA2023│中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮：寬禁帶半導體的幾個基礎(chǔ)問題

中國科學院院士郝躍：第三代半導體的若干新進展

中國科學院上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實現(xiàn)突破

中國科學院半導體研究所等在莫爾異質(zhì)結(jié)層間激子研究方面取得進展

中國科學院院士鄒廣田：金剛石不僅能用作半導體，未來應(yīng)用領(lǐng)域更廣

中國科學院公布2023年院士增選有效候選人名單

中國科學院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

CASICON西安前瞻| 中國科學院半導體所青年研究員梁鋒：大功率GaN基藍光激光器研究進展

CASICON西安前瞻| 中國科學院半導體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

CASICON西安站前瞻|中國科學院微電子所黃森：Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

中國科學院院士毛軍發(fā)：集成系統(tǒng)是繞道摩爾定律的重要路徑之一

中國科學院院士、南京大學教授祝世寧：薄膜鈮酸鋰的機遇與挑戰(zhàn)

中國科學院院士、西安電子科技大學教授郝躍：化合物半導體器件進展與挑戰(zhàn)

獲中國科學院褒獎 | 谷器數(shù)據(jù)產(chǎn)品榮膺2022年度最佳！

中國科學院院士劉忠范：攻克芯片卡脖子，一擁而上建集成電路學院待商榷

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