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中鎵半導(dǎo)體：低位錯(cuò)密度氮化鎵自支撐襯底產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)銷售

中鎵半導(dǎo)體劉強(qiáng)：2英寸低位錯(cuò)密度高電導(dǎo)率和半絕緣氮化鎵自支撐襯底的生長(zhǎng)

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，總部設(shè)于廣東東莞，總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣，總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米，并在北京設(shè) 立面積達(dá)1000平方米的大型研發(fā)中心，為中國(guó)國(guó)內(nèi)首家專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵（GaN）襯底材料的企業(yè)。 - 人才隊(duì)伍企業(yè)以北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心為技術(shù)依托，引進(jìn)國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀的技術(shù)及管理團(tuán)隊(duì)， 2010年獲建博士后工作站，截至2019年有院士1人，教授級(jí)別人員共 1人，博士9人，碩士27人，擁有先進(jìn)的技術(shù)及管理優(yōu)勢(shì)。

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