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新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

天岳先進：上海臨港工廠二期8吋SiC襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|超芯星劉欣宇：破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元

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山東大學(xué)/晶鎵半導(dǎo)體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

總投資11億元！磷化銦單晶襯底片項目簽約落戶江門

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管專利

12英寸碳化硅襯底實現(xiàn)激光剝離

西湖儀器：實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

全球首發(fā)！天岳先進攜全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品震撼登場SEMICON China 2025

【全球首發(fā)】8英寸氧化鎵晶圓襯底震撼問世｜杭州鎵仁邀您SEMICON見證半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

年產(chǎn)150萬克拉金剛石芯片襯底項目簽約

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

三安光電：重慶8英寸碳化硅襯底目前周產(chǎn)能達(dá)500片/周

浙江大學(xué)任娜：基于P型碳化硅襯底材料的結(jié)勢壘肖特基二極管|CASICON重慶站

哈密優(yōu)普萊高品質(zhì)金剛石毛坯及芯片襯底材料項目開工

江西兆馳半導(dǎo)體取得用于藍(lán)寶石襯底的清洗裝置專利，方便收集清洗后的廢液

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標(biāo)準(zhǔn)

KAUST實現(xiàn)千伏級藍(lán)寶石襯底AlN肖特基二極管

同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目啟動

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一批半導(dǎo)體項目簽約衢州涉及氧化鎵、氮化鋁單晶襯底等

北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

派恩杰“一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底”專利公布

碳化硅襯底龍頭天岳先進擬港股上市

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