亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<strike id="00e66"><strong id="00e66"></strong></strike>

<dd id="00e66"></dd>

<delect id="00e66"><th id="00e66"></th></delect>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

格力電器獲得發(fā)明專利授權：“IGBT模塊保護裝置、IGBT模塊及變頻器”

報告前瞻| 陽光電動力萬富翔：新一代功率器件并聯技術在電驅系統(tǒng)的應用

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

廈門市三安集成電路有限公司取得氮化鎵半導體器件專利，防水汽侵蝕能力較高

長飛先進半導體申請功率器件及相關專利，降低功耗

報告前瞻|湖南三安半導體許志維：SiC MOSFET器件技術之發(fā)展與挑戰(zhàn)

新微半導體“垂直腔面發(fā)射激光器的外延結構及其校驗方法”專利公布

總投資16.8億元，晶旭半導體高頻濾波器芯片項目將于7月投用

比亞迪半導體“存儲器測試方法、存儲器測試裝置、存儲介質和電子設備”專利公布

格恩半導體取得半導體激光器封裝模組專利，降低激光器芯片的熱失配和溫升幅度

紫光同芯“一種SGT器件及其制備方法”專利公布

日本加強出口管制！42家中國實體列入“黑名單”，涉及處理器、光刻機等領域

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

德州儀器：到 2030 年，公司預計有超 95% 晶圓通過內部采購

中科院理化所&吉大&中科大Nature Nano.：用于超高分辨率micro-LED顯示器的遠程外延晶體鈣鈦礦

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

杭州士蘭微電子取得半導體器件專利，控制了柵漏電容

總投資10億元，芯瓷科技半導體功率器件用DPC陶瓷基板項目投產

電子科技大學朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學院于洪宇、王中銳、汪青研究團隊在LiNbO3壓電聲表面波相移器領域取得新進展

英飛凌宣布合并傳感器和射頻業(yè)務

核能安全所在超寬禁帶材料半導體輻射探測器研制方面取得新進展

蘋果攻機器人砷化鎵三雄迎大商機

年產100萬只高速光通信器件和模塊項目正式啟動廠房裝修工程

基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

世界首個采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投運

基本半導體“碳化硅基集成SBD和SGT器件及其制備方法”專利公布

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質結構紫外光伏探測器取得進展

甬江實驗室信息材料與微納器件制備平臺正式投用

第3頁/共67頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯系客服投訴反饋頂部

<ul id="giege"><th id="giege"></th></ul>

<center id="giege"></center>