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CSPSD 2025前瞻|中國科學院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國科學院半導體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)

中國科學院半導體所在二維陣列激光器方面取得重要進展

金剛石高溫日盲紫外探測器取得新進展

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

CSE展邊會丨推動機器人產(chǎn)業(yè)升級！2025第三代半導體機器人快充新技術研討會議程公布

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

Allegro MicroSystems 攜新型 XtremeSense? TMR 電流傳感器亮相慕尼黑上海電子展

MaM發(fā)表深圳大學劉新科團隊綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術

美國海關宣布對消費電子、服務器、半導體器件等20項商品豁免關稅

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學技術大學團隊研制出毫秒級可集成量子存儲器

國內(nèi)首個！中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院研發(fā)金剛石氮空位色心微波激射器

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

廣東省工信廳：加快打造全球人工智能與機器人發(fā)展高地

總投資約5億元，睿寶高端半導體設備真空檢測儀器及傳感器項目6月投用

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

中南大學何軍、鐘綿增，浙江大學李京波：通過調控電場分布實現(xiàn)高均勻性的耐高壓晶圓級4H-SiC紫外光電探測器

復旦大學褚君浩/王建祿/黃海課題組Nat. Commun.：基于勢壘調控的新型紫外光電探測器

中國科學技術大學在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

魯晶半導體與山東大學共建碳化硅功率器件產(chǎn)學研合作新生態(tài)

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

《2025電視問政》聚焦科技創(chuàng)新：加快AI、人形機器人等未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展

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