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昌龍智芯半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投資超5億元

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進(jìn)展

行業(yè)Top級廠商齊聚功率器件展區(qū)！CSE 2025等您來探！

功率半導(dǎo)體器件研發(fā)商中微創(chuàng)芯完成近億元Pre-B輪融資

武漢敏聲高端射頻濾波器生產(chǎn)線項(xiàng)目封頂

寧波材料所與鄭州大學(xué)實(shí)現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導(dǎo)體器件專利，降低寬禁帶半導(dǎo)體器件導(dǎo)通損耗和柵介質(zhì)層擊穿風(fēng)險(xiǎn)

北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

總投資7.5億元，星曜半導(dǎo)體5G射頻濾波器芯片晶圓產(chǎn)線項(xiàng)目投產(chǎn)

晶體材料及元器件廠商飛銳特完成數(shù)千萬元A輪融資

士蘭微“用于LLC諧振變換器的恒流控制電路及恒流控制方法”專利獲授權(quán)

北大集成電路學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進(jìn)展

韓國2025年將豪擲25.5萬億韓元投資半導(dǎo)體、顯示器等先進(jìn)產(chǎn)業(yè)

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

光迅科技高端光電子器件產(chǎn)業(yè)基地一期達(dá)產(chǎn)

上海燁映微電子申請 GaN 晶體管與柵極驅(qū)動(dòng)器合封專利，實(shí)現(xiàn)高頻能力

杭州芯邁半導(dǎo)體技術(shù)申請一種功率開關(guān)器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強(qiáng)型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚(yáng)杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

總投資3億元，深矽微科技功率器件封裝生產(chǎn)基地項(xiàng)目首批設(shè)備正式進(jìn)場

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（三）?|IFWS&SSLCHINA2024

CSA半導(dǎo)體激光器專業(yè)委員會(huì)正式成立，并成功召開第一屆一次會(huì)議

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（二）|IFWS&SSLCHINA2024

日本國立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

上海微系統(tǒng)所科研團(tuán)隊(duì)在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展探討（一） |IFWS&SSLCHINA2024

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測智能柵極驅(qū)動(dòng)器

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