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重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產良率

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質量

商務部新聞發(fā)言人就中方針對美方再次提高對華關稅實施反制答記者問

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

中芯國際申請半導體結構及其形成方法專利，提高半導體結構的電學性能

天科合達申請在坩堝內部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

上海光通信申請半導體結構相關專利，縮小半導體結構線寬提高器件密度

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應用中的可靠性

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準度

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導體工藝設備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長園半導體設備取得芯片取料裝置和芯片生產系統(tǒng)專利，有效提高產品從膜片上取料的成功率

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質量

南京集芯光電取得一種氮化鎵生長加熱爐專利，解決氮化鎵采取和附著問題，提高產量

浙之芯申請一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導體申請p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

杭州芯邁半導體技術申請一種功率開關器件專利，提高了器件的功率密度

成都氮矽科技申請 N 面增強型 GaN 雙向功率器件專利，提高器件的抗輻照能力

揚杰電子申請提高反向續(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

華虹半導體申請集成半導體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

湖南三安半導體申請功率器件專利，可提高鈍化層在外圍區(qū)域的附著力

昕感科技申請一種終端復合結構及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

廣東巨風半導體取得IGBT模塊專利，提高模塊性能

廣州南砂晶圓半導體技術取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長裝置專利，提高晶體生長速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

飛锃半導體申請半導體結構及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

長鑫存儲申請半導體結構及制備方法專利，提高集成電路的存儲密度

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

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