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連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，全新解決方案引領(lǐng)行業(yè)潮流！

晶馳機(jī)電8英寸碳化硅電阻式長(zhǎng)晶爐通過(guò)客戶驗(yàn)證

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

標(biāo)準(zhǔn) | 2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

昕感科技推出兼容15V柵壓驅(qū)動(dòng)的1200V/13mΩ低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

北京大學(xué)申請(qǐng)多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進(jìn)而降低損耗

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等兩項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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日本開發(fā)在磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)電阻開關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

晶合集成取得半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，改善電阻Rc并提高良率

北京大學(xué)申請(qǐng)?zhí)蓟杵矫鏂臡OSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

北大團(tuán)隊(duì)研發(fā)超低動(dòng)態(tài)電阻氮化鎵高壓器件，耐壓能力大于6500V

翠展微：IGBT模塊關(guān)斷電阻對(duì)關(guān)斷尖峰的非單調(diào)性影響

科友半導(dǎo)體董事長(zhǎng)趙麗麗：電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告

中鎵半導(dǎo)體：挑戰(zhàn)最高GaN體電阻率，開發(fā)更高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

北京交大科研團(tuán)隊(duì)提出GaN器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻的精確測(cè)試與優(yōu)化方法

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見

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