亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

<ul id="sooso"></ul>

<cite id="sooso"></cite>

<dl id="sooso"><noframes id="sooso"></noframes></dl>

<blockquote id="sooso"></blockquote>

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

北方華創(chuàng)擬4億元參股電控產(chǎn)投投資布局優(yōu)質(zhì)項目

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

華虹虹芯基金獨家投資半導體檢測設備商大束科技

納微半導體推出全新SiCPAK?功率模塊

超高頻射頻毫米波雷達廠商江蘇銘芯先進獲中匯金資本數(shù)千萬元股權(quán)投資

鎵仁&浙大︱博士后招聘啟事

鎵仁半導體獲批浙江省博士后工作站

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

CSE?City Walk丨光谷·車谷科技文化漫游之旅

時代電氣IGBT制氫電源設備累計交付突破100臺

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

標準 | SiC MOSFET 有功對拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET晶圓級老化及篩選試驗方法立項

標準 | SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法立項

捷捷微電：6英寸功率半導體項目正處于產(chǎn)能爬坡期，月產(chǎn)出已達5萬片

法國AlN創(chuàng)企EasyGaN宣布倒閉

工信部：將加快發(fā)布新一輪電子信息制造業(yè)穩(wěn)增長行動方案

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質(zhì)量GaN單晶襯底

CSE展邊會丨電動汽車超充產(chǎn)業(yè)大會日程公布，免費報名中

CSE展邊會丨寬禁帶半導體材料高峰論壇誠邀參與

CSE同期活動丨“武創(chuàng)薈”雙谷聯(lián)動科技創(chuàng)新對接活動誠邀參與~

CSE展邊會丨推動機器人產(chǎn)業(yè)升級！2025第三代半導體機器人快充新技術(shù)研討會議程公布

CSE同期活動丨科技與文化交融！湖北科技文化創(chuàng)新交流活動即將啟幕

總投資5100余萬芯盟高等級功率半導體廠房竣工

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目

三安半導體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

納微GaNSafe?正式通過車規(guī)認證

第3頁/共590頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<dd id="sosq4"><th id="sosq4"></th></dd>

<code id="sosq4"></code><blockquote id="sosq4"><wbr id="sosq4"></wbr></blockquote>