12月17日，南大光電公告，公司控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶的使用認證。

 

認證評估報告顯示，“本次認證選擇客戶50nm閃存產品中的控制柵進行驗證，寧波南大光電的ArF光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結果達標。”

 

“ArF光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02專項”的一個重點攻關項目，總投資6億元，項目完全達產后，預計實現(xiàn)約10億元的年銷售額，年利稅預計約2億元。本次產品的認證通過，標志著“ArF光刻膠產品開發(fā)和產業(yè)化”項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一只國產ArF光刻膠。

 

光刻膠是半導體光刻工藝的核心材料，決定了半導體圖形工藝的精密程度和良率，其質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。光刻膠作為半導體芯片制造過程中的核心材料之一，經過紫外光、電子束等照射，光刻膠得到曝光，化學性質發(fā)生改變，經過顯影液的洗滌，圖案會留在襯底上。光刻膠分為KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)幾種，括號中的數(shù)值為曝光光源的波長。

 

與此相對的，作為高精尖的半導體制造核心材料，由于技術壁壘和客戶壁壘高，全球半導體光刻膠市場集中度高，市場被美日公司長期壟斷。日本的JSR、東京應化、信越化學及富士電子四家企業(yè)占據(jù)了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。

 

按不同制程，半導體用光刻膠可分為EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠及G線、i線光刻膠，前三者均為高端光刻膠產品，產業(yè)信息網數(shù)據(jù)顯示，截至2019年國內在g線/i線光刻膠僅達到20%自給率，而KrF光刻膠自給率不足 5%，ArF光刻膠則完全依賴進口。研發(fā)進度上，EUV光刻膠為目前市場上最高端的光刻膠，目前國內還未開始涉及，但在ArF光刻膠、KrF光刻膠領域，除了南大光電外，國內已有眾多企業(yè)相繼開啟研發(fā)。

 

南大光電主要從事高純電子材料研發(fā)、生產和銷售，通過承擔國家重大技術攻關項目并實現(xiàn)產業(yè)化。目前，公司形成MO源、電子特氣、光刻膠及配套材料以及ALD/CVD前驅體材料等業(yè)務板塊。本次通過客戶認證的產業(yè)化意義大。本次驗證使用的50nm閃存技術平臺，在特征尺寸上，線制程工藝可以滿足45nm-90nm光刻需求，孔制程工藝可滿足65nm-90nm光刻需求，該工藝平臺的光刻膠在業(yè)界有代表性。

 

南大光電表示，目前與客戶的產品銷售與服務協(xié)議尚在協(xié)商之中。同時，ArF光刻膠的復雜性決定了其在穩(wěn)定量產階段仍然存在工藝上的諸多風險，其在應用工藝的改進、完善等方面的表現(xiàn)，都會決定ArF光刻膠的量產規(guī)模和經濟效益。