碳化硅（SiC）功率MOSFET器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)，相比傳統(tǒng)的Si基功率MOSFET器件，可簡化功率電子系統(tǒng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，促進(jìn)系統(tǒng)小型化。目前，國內(nèi)外學(xué)者已對(duì)SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)、工藝及電學(xué)特性等展開了廣泛研究，新型器件不斷涌現(xiàn)。
9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會(huì)（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會(huì)由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會(huì)上，東南大學(xué)教授劉斯揚(yáng)做了題為“SiC功率MOSFET器件可靠性研究進(jìn)展”的主題報(bào)告，由于SiC/SiO2界面勢壘低、界面缺陷密度大及SiC歐姆接觸穩(wěn)定性差等問題，使得SiC-MOSFET在高環(huán)境溫度、高工作電壓、大驅(qū)動(dòng)電流及快速開關(guān)等極限條件下應(yīng)用時(shí)，可靠性問題嚴(yán)峻。報(bào)告針對(duì)SiC-MOSFET器件在電熱應(yīng)力下的可靠性損傷機(jī)理、表征方法、壽命模型及新結(jié)構(gòu)等近期研究進(jìn)展進(jìn)行闡述和交流。
嘉賓簡介
劉斯揚(yáng)，長期致力于功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)理論及關(guān)鍵技術(shù)的研究。獲江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)、教育部技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)，入選 “國家裝備預(yù)研青年人才”，“江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程—中青年學(xué)術(shù)帶頭人”。發(fā)表IEEE TPE、EDL、TED等期刊論文74篇 (其中第1作者28篇)，授權(quán)美國專利3項(xiàng)，中國發(fā)明專利37項(xiàng)。主持國家自然科學(xué)基金、國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等項(xiàng)目12項(xiàng)。
