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【CASICON 2021】奧趨光電吳亮:AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望

日期:2021-09-17 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:647
核心提示:報告結合AlN/AlScN的特性,AlN /AlScN的潛力應用,以及AlScN 的發(fā)展歷程分享了最新進展。
9月13-14日,“2021中國(南京)功率與射頻半導體技術市場應用峰會(CASICON 2021)”在南京召開。本屆峰會由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦,并得到了南京大學、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。
吳亮
會上,奧趨光電CEO吳亮帶來了“AlN/AlScN材料制備技術及其在5GRFFE濾波及功率器件等領域應用前景展望”的主題報告。報告結合AlN/AlScN的特性,AlN /AlScN的潛力應用,以及AlScN 的發(fā)展歷程分享了最新進展。
報告指出,AlScN是5G RFFE BAW/FBAR/SAW濾波器最有前途的新材料,也有希望用于其他電力電子應用。AlN 在UV-LED等領域有很大的應用潛力。并分享了AlN/AlScN 晶體生長方法、PVT法制備AlN/AlScN晶體、基于 AlN 的 X 波段 HEMT(15W/mm 輸出密度)等方法。
吳亮表示奧趨光電開發(fā)了一系列專利技術,解決了大型氮化鋁生產(chǎn)中的關鍵難題,采用PVT法生產(chǎn)了世界上第一批60mm氮化鋁晶片和晶圓,并規(guī)劃世界上最大的2英寸氮化鋁單晶襯底晶圓廠。奧趨光電開發(fā)了專有技術,在其上生長世界領先質量的AlScN薄膜具有低成本和可擴展性的硅/藍寶石,并在SiC襯底上與領先合作伙伴合作。奧趨光電正與中國幾家領先的無晶圓廠合作伙伴合作,以實現(xiàn)高性能FBAR/SAW滿足5G行業(yè)日益增長的要求的過濾器。
 
嘉賓簡介
吳亮,國際知名晶體生長工藝與模擬仿真科學家,有近20年半導體、光伏及各種單晶生長工藝研究、開發(fā)與研發(fā)領導經(jīng)驗。曾供職于英特爾技術發(fā)展有限公司、比利時FEMAGSoft SA(高級研發(fā)工程師、駐北京首席代表等)、蘇州協(xié)鑫工業(yè)應用研究院有限公司(副院長,現(xiàn)協(xié)鑫中央研究院)、協(xié)鑫太陽能材料有限公司(總工程師)等,現(xiàn)任奧趨光電技術(杭州)有限公司CEO。
 
吳亮博士曾承擔日本、德國、比利時等多家世界500強企業(yè)或政府組織在半導體材料領域的專業(yè)化合作研究,申請/授權國內國際專利50余項,在德國出版晶體生長專著一部,發(fā)表各種期刊/會議論文及各種國際/國內邀請報告100多篇/次)。
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