相比于傳統(tǒng)Si材料，以SiC、GaN為代表的第三代半導體更適合于高壓、高溫、高頻、大功率應用，是新能源車、高速鐵路、5G基站、充電樁、高壓輸電的核心器件。 

 

從國際上來看，SiC產業(yè)鏈已經完備，產業(yè)化成熟。Cree 、意法半導體等各大公司壟斷市場，并繼續(xù)加大投入，擴大規(guī)模。從國內來看，缺少核心技術，SiC產業(yè)鏈條塊分割，技術處于初級水平，與國際領先水平相差10年以上。尤其是電力市場需求巨大，所需SiC器件完全依賴進口。SiC器件目前產值約6億美金，預計2022年即可翻一倍，達12億美金，增速非?？?。

 

9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導體技術市場應用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導體產業(yè)網、第三代半導體產業(yè)主辦，并得到了南京大學、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導。

會上，復旦大學青年研究員樊嘉杰博士帶來了“SiC功率器件先進封裝材料及可靠性優(yōu)化設計”的主題報告，報告指出隨著電子封裝技術向微型化、高密度、集成化、高可靠方向發(fā)展，芯片級封裝、系統(tǒng)級封裝、系統(tǒng)級芯片、三維立體封裝將陸續(xù)在碳化硅（SiC）功率模塊封裝中被采用。

 

先進封裝及可靠性技術是保證寬禁帶半導體性能優(yōu)勢并實現(xiàn)長期有效服役的關鍵，屬于第三代半導體產業(yè)亟待解決的卡脖子問題，因此，急需對復雜使役條件下SiC功率模塊新型封裝工藝、材料、失效機理和可靠性等基礎問題展開前瞻性探索。報告從第三代半導體發(fā)展現(xiàn)狀、功率器件及模塊封裝形式的發(fā)展趨勢、先進封裝材料的發(fā)展趨勢、封裝可靠性設計及優(yōu)化方法等四個方面展開介紹了最新研究進展。

 

其中，從功率器件及模塊封裝形式的發(fā)展趨勢來看，先進封裝的目的是提升功能密度、縮短互連長度、提升系統(tǒng)性能、降低整體功耗。隨著系統(tǒng)級別要求的不斷提升，“定制化” 成為“主流”。

 

樊嘉杰，香港理工大學和美國馬里蘭大學聯(lián)合培養(yǎng)博士，荷蘭代爾夫特理工大學博士后/CSC公派訪問學者/客座研究員。主要研究方向：第三代半導體封裝及可靠性。迄今共發(fā)表學術論文110余篇；申請/授權專利20余項；主持起草ISA國際標準1項、參與起草國家標準和CSA聯(lián)盟標準多項。獲全國“第三代半導體卓越創(chuàng)新青年”稱號、入選江蘇省科協(xié) “青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。