微電子技術顯著推動了信息化社會的發(fā)展，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，因其在國防安全、智能制造、產業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用，正成為世界各國競爭的技術制高點。氧化鎵和金剛石為代表的超寬禁帶半導體的研究也在不斷推進。
2021年12月6-8日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司與半導體產業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，IFWS 2021：超寬禁帶半導體技術分論壇將于12月6日舉行，論壇特別邀請來自美國康奈爾大學教授Huili Grace XING，鄭州大學電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合研究中心主任、教授劉玉懷，北京郵電大學/南京郵電大學教授唐為華，山東大學晶體材料研究所副教授彭燕，西安交通大學電子學院院長助理、副教授李強，中科院半導體所研究員張逸韻，西安交通大學助理教授王艷豐，中山大學副教授盧星，山東大學微電子學院副教授徐明升，中國科學技術大學于舜杰，西安電子科技大學袁海東，南京大學況悅，鄭州大學Mussaab I. Niass等代表性先進研究力量，分享超寬禁帶半導體的最新研究進展與研究成果。會議將由山東大學特聘教授陶緒堂與中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長龍世兵教授聯(lián)袂主持。目前論壇最新日程出爐，也誠摯的邀請業(yè)界同仁的深度參與。
作為一年一度的行業(yè)盛會，論壇及同期活動將全面呈現(xiàn)第三代半導體產業(yè)動向及技術趨勢，為除了開幕大會、本屆論壇設有功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇、電力電子標準與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的國內外前沿進展；第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的產業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機遇；第三代半導體材料相關技術與新一代信息技術、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產業(yè)的相互促進與深度融合；產業(yè)鏈、供應鏈多元化與核心技術攻關等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業(yè)發(fā)展大計。
部分嘉賓簡介
備注：日程或有微調，皆以現(xiàn)場為準。
部分嘉賓簡介
陶緒堂，山東大學講席教授，2002年度教育部長江學者特聘教授、2003年度國家杰出青年基金、2005年度教育部創(chuàng)新團隊和2007年度國家自然科學基金委創(chuàng)新群體學術帶頭人。兼任中國硅酸鹽學會理事，中國晶體學會理事, 中國硅酸鹽學會晶體生長專業(yè)委員會委員，中國物理學會固體缺陷專業(yè)委員會副主任，第六屆教育部科學技術委員會國防科技學部委員。
龍世兵，中國科學技術大學微電子學院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導體器件領域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學術期刊的審稿人。主持國家自然科學基金、科技部（863、973、重大專項、重點研發(fā)計劃）、中科院等資助科研項目15項。在IEEE EDL等國際學術期刊和會議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引3000余次，H因子30，2篇第一作者IEEE EDL論文入選ESI高引論文（累計引用居前1%的論文）。獲得/申請專利100余項，其中9項轉移給國內最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際，74項授權/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。
Huili Grace Xing，研究重點是III-V型氮化物，2-D晶體，氧化物半導體，最近研究多鐵性材料，磁性和超導材料的開發(fā)：生長，電子和光電器件，尤其是材料性能與器件開發(fā)以及高性能器件之間的相互作用，包括RF / THz器件，隧道場效應晶體管，功率電子器件，DUV發(fā)射器和存儲器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎，NSF職業(yè)獎和ISCS青年科學家獎。她是APS的會員。她已撰寫/與他人合著了240多種期刊論文和110多種會議論文集，包括《自然》雜志，《物理評論快報》，《應用物理快報》，《電子設備快報》和IEDM等。
唐為華，北京郵電大學/南京郵電大學教授，博導，北京鎵族科技有限公司、北京鎵和半導體有限公司創(chuàng)始人。北京郵電大學首屆“傳郵人才”，享受國務院政府特殊津貼，入選國家“新世紀百千萬人才工程”、中國科學院“百人計劃”，江蘇省“雙創(chuàng)人才“，獲北京市科學技術將一等獎、北京市科學技術獎自然科學二等獎。曾在法國國家科研中心、美國國家標準與技術研究院等境外機構開展合作研究。長期從事信息功能材料與器件研究，已在國內外重要學術雜志上發(fā)表SCI收錄論文300多篇，論文被引用10000多次，H因子48，發(fā)明專利30多項。主持國家級省部級重大課題等二十多項。擔任國家自然科學基金委和科技部國家重大研究計劃等科技與人才項目會評專家、國內外十余種學術雜志特邀評審、中國晶體學會理事、中國物理學會X射線衍射專業(yè)委員和固體缺陷專業(yè)委員會委員、中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟標準化委員會委員、中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟監(jiān)事、“中關村標準“智庫首批特聘專家。近十年來重點開展超寬禁帶半導體氧化鎵材料、物性及器件研究，是國內開展氧化鎵科學研究與產業(yè)化實踐的先行者。
劉玉懷，現(xiàn)任鄭州大學信息工程學院電子與信息工程系教授、博士生導師、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實驗室主任、日本名古屋大學客座教授。主要研究方向為氮化物半導體材料與器件，主持國家重點研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點專項（基于氮化物半導體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學基金面上項目、河南省科技攻關項目等12項。發(fā)表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權中國發(fā)明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權5項。紫外LED技術轉移1項。
彭燕，凝聚態(tài)物理博士，山東大學副教授/博士研究生導師，廣州南砂晶圓半導體技術有限公司研發(fā)中心主任。主要從事寬禁帶半導體材料研究工作，重點研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應用研究，先后主持/參與國家基礎研究計劃、973、核高基及自然科學基金項目等10余項，發(fā)表SCI論文40余篇，申請/授權專利近30項。
李強，從事寬禁帶半導體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應用。第一發(fā)明人擁有國家授權發(fā)明專利11項，在國內外重要期刊上發(fā)表學術論文50余篇。主持國家及省部級項目6項，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。
最新日程如下：
盧星，中山大學電子與信息工程學院“百人計劃”副教授，分別于復旦大學和香港科技大學取得學士和博士學位，致力于寬禁帶半導體材料與器件研究，主持完成國家自然科學基金、廣東省自然科學基金、廣東省前沿與關鍵技術創(chuàng)新專項資金等多項科研項目，在IEEE EDL、IEEE TED、APL等期刊發(fā)表第一/通訊作者論文三十余篇，申請/授權國家發(fā)明專利十余件。
最新日程如下：
備注：日程或有微調，皆以現(xiàn)場為準。
附件：論壇資料
第七屆國際第三代半導體論壇
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國際第三代半導體論壇（IFWS）是第三代半導體產業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作，引領第三代半導體新興產業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結產、學、研、用，提供全球范圍的全產業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術權威分享最前沿技術動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）是半導體照明領域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進半導體照明技術和應用的國際交流與合作，引領半導體照明產業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術、產品與應用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關注的目標市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內的全球最頂級專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告，累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
國際第三代半導體論壇與中國國際半導體照明論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
2021先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業(yè)發(fā)展大計。
2021先進半導體技術應用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產業(yè)發(fā)展大計。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會議最新信息：
論壇信息
會議時間：2021年12月6-8日
會議地點：深圳會展中心（福田區(qū)）
會議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經進入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
備注：總體日程概覽或有微調，以現(xiàn)場為準。
注冊費用權益表
備注：
＊中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。
＊學生參會需提交相關證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續(xù)費。
＊SSL相關會議包含：開幕大會、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、材料與裝備論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇、生物農業(yè)光照技術研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關會議包含：開幕大會、功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇、第三代半導體標準與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產業(yè)峰會包含：車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產業(yè)單元（包括照明設計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應用、Mini/Micro-LED應用與產業(yè)、新一代電源應用技術、能源互聯(lián)網(wǎng)應用技術等會議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關村半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
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