微電子技術(shù)顯著推動了信息化社會的發(fā)展，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，因其在國防安全、智能制造、產(chǎn)業(yè)升級、節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求方面的重要作用，正成為世界各國競爭的技術(shù)制高點。氧化鎵和金剛石為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體的研究也在不斷推進。
2021年12月6-8日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
期間，IFWS 2021：超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分論壇將于12月6日舉行，論壇特別邀請來自美國康奈爾大學(xué)教授Huili Grace XING，鄭州大學(xué)電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合研究中心主任、教授劉玉懷，北京郵電大學(xué)/南京郵電大學(xué)教授唐為華，山東大學(xué)晶體材料研究所副教授彭燕，西安交通大學(xué)電子學(xué)院院長助理、副教授李強，中科院半導(dǎo)體所研究員張逸韻，西安交通大學(xué)助理教授王艷豐，中山大學(xué)副教授盧星，山東大學(xué)微電子學(xué)院副教授徐明升，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)于舜杰，西安電子科技大學(xué)袁海東，南京大學(xué)況悅，鄭州大學(xué)Mussaab I. Niass等代表性先進研究力量，分享超寬禁帶半導(dǎo)體的最新研究進展與研究成果。會議將由山東大學(xué)特聘教授陶緒堂與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長龍世兵教授聯(lián)袂主持。目前論壇最新日程出爐，也誠摯的邀請業(yè)界同仁的深度參與。
作為一年一度的行業(yè)盛會，論壇及同期活動將全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)動向及技術(shù)趨勢，為除了開幕大會、本屆論壇設(shè)有功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國內(nèi)外前沿進展；第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機遇；第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進與深度融合；產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈多元化與核心技術(shù)攻關(guān)等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
部分嘉賓簡介
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
部分嘉賓簡介
陶緒堂，山東大學(xué)講席教授，2002年度教育部長江學(xué)者特聘教授、2003年度國家杰出青年基金、2005年度教育部創(chuàng)新團隊和2007年度國家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新群體學(xué)術(shù)帶頭人。兼任中國硅酸鹽學(xué)會理事，中國晶體學(xué)會理事, 中國硅酸鹽學(xué)會晶體生長專業(yè)委員會委員，中國物理學(xué)會固體缺陷專業(yè)委員會副主任，第六屆教育部科學(xué)技術(shù)委員會國防科技學(xué)部委員。
龍世兵，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院執(zhí)行院長、教授。長期從事微納加工、阻變存儲器、超寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多種國際著名學(xué)術(shù)期刊的審稿人。主持國家自然科學(xué)基金、科技部（863、973、重大專項、重點研發(fā)計劃）、中科院等資助科研項目15項。在IEEE EDL等國際學(xué)術(shù)期刊和會議上發(fā)表論文100余篇，SCI他引3000余次，H因子30，2篇第一作者IEEE EDL論文入選ESI高引論文（累計引用居前1%的論文）。獲得/申請專利100余項，其中9項轉(zhuǎn)移給國內(nèi)最大的集成電路制造企業(yè)中芯國際，74項授權(quán)/受理發(fā)明專利許可給武漢新芯。
Huili Grace Xing，研究重點是III-V型氮化物，2-D晶體，氧化物半導(dǎo)體，最近研究多鐵性材料，磁性和超導(dǎo)材料的開發(fā)：生長，電子和光電器件，尤其是材料性能與器件開發(fā)以及高性能器件之間的相互作用，包括RF / THz器件，隧道場效應(yīng)晶體管，功率電子器件，DUV發(fā)射器和存儲器。她曾獲得AFOSR青年研究者獎，NSF職業(yè)獎和ISCS青年科學(xué)家獎。她是APS的會員。她已撰寫/與他人合著了240多種期刊論文和110多種會議論文集，包括《自然》雜志，《物理評論快報》，《應(yīng)用物理快報》，《電子設(shè)備快報》和IEDM等。
唐為華，北京郵電大學(xué)/南京郵電大學(xué)教授，博導(dǎo)，北京鎵族科技有限公司、北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人。北京郵電大學(xué)首屆“傳郵人才”，享受國務(wù)院政府特殊津貼，入選國家“新世紀(jì)百千萬人才工程”、中國科學(xué)院“百人計劃”，江蘇省“雙創(chuàng)人才“，獲北京市科學(xué)技術(shù)將一等獎、北京市科學(xué)技術(shù)獎自然科學(xué)二等獎。曾在法國國家科研中心、美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院等境外機構(gòu)開展合作研究。長期從事信息功能材料與器件研究，已在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)雜志上發(fā)表SCI收錄論文300多篇，論文被引用10000多次，H因子48，發(fā)明專利30多項。主持國家級省部級重大課題等二十多項。擔(dān)任國家自然科學(xué)基金委和科技部國家重大研究計劃等科技與人才項目會評專家、國內(nèi)外十余種學(xué)術(shù)雜志特邀評審、中國晶體學(xué)會理事、中國物理學(xué)會X射線衍射專業(yè)委員和固體缺陷專業(yè)委員會委員、中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會委員、中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟監(jiān)事、“中關(guān)村標(biāo)準(zhǔn)“智庫首批特聘專家。近十年來重點開展超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料、物性及器件研究，是國內(nèi)開展氧化鎵科學(xué)研究與產(chǎn)業(yè)化實踐的先行者。
劉玉懷，現(xiàn)任鄭州大學(xué)信息工程學(xué)院電子與信息工程系教授、博士生導(dǎo)師、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實驗室主任、日本名古屋大學(xué)客座教授。主要研究方向為氮化物半導(dǎo)體材料與器件，主持國家重點研發(fā)計劃政府間國際科技創(chuàng)新合作重點專項（基于氮化物半導(dǎo)體的深紫外激光器的研究）、國家自然科學(xué)基金面上項目、河南省科技攻關(guān)項目等12項。發(fā)表論文與會議報告215篇，國際會議邀請報告12次。日本專利公開1項、授權(quán)中國發(fā)明專利1項、實用新型項專利1項、軟件著作權(quán)5項。紫外LED技術(shù)轉(zhuǎn)移1項。
彭燕，凝聚態(tài)物理博士，山東大學(xué)副教授/博士研究生導(dǎo)師，廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司研發(fā)中心主任。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體材料研究工作，重點研究SiC、金剛石材料的制備、表征及應(yīng)用研究，先后主持/參與國家基礎(chǔ)研究計劃、973、核高基及自然科學(xué)基金項目等10余項，發(fā)表SCI論文40余篇，申請/授權(quán)專利近30項。
李強，從事寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主要研究方向：氧化物半導(dǎo)體材料（氧化銦錫ITO）和超寬禁帶半導(dǎo)體材料（氮化硼B(yǎng)N）的制備與器件應(yīng)用。第一發(fā)明人擁有國家授權(quán)發(fā)明專利11項，在國內(nèi)外重要期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文50余篇。主持國家及省部級項目6項，主講國家一流本科生課程1門，陜西省精品課程1門，作為主編之一編寫專著1部。
最新日程如下：
盧星，中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院“百人計劃”副教授，分別于復(fù)旦大學(xué)和香港科技大學(xué)取得學(xué)士和博士學(xué)位，致力于寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究，主持完成國家自然科學(xué)基金、廣東省自然科學(xué)基金、廣東省前沿與關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新專項資金等多項科研項目，在IEEE EDL、IEEE TED、APL等期刊發(fā)表第一/通訊作者論文三十余篇，申請/授權(quán)國家發(fā)明專利十余件。
最新日程如下：
備注：日程或有微調(diào)，皆以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
附件：論壇資料
第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇
暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
IFWS & SSLCHINA 2021
國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導(dǎo)體與電力電子技術(shù)、移動通信技術(shù)、紫外探測技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，聯(lián)結(jié)產(chǎn)、學(xué)、研、用，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里，IFWS延請寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域國際頂級學(xué)術(shù)權(quán)威分享最前沿技術(shù)動態(tài)，已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）是半導(dǎo)體照明領(lǐng)域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進半導(dǎo)體照明技術(shù)和應(yīng)用的國際交流與合作，引領(lǐng)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨，全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里，SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內(nèi)的全球最頂級專家陣容，呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告，累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
國際第三代半導(dǎo)體論壇與中國國際半導(dǎo)體照明論壇同時同地舉辦，同臺匯力，相映生輝，放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前，論壇同期論文已開啟征集，論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。
2021先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
2021先進半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS 2021）也同時招展中，歡迎業(yè)界人士的參與其中，對接資源，洽談商機，共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
據(jù)了解，目前論壇組織工作正有序開展中，以下為會議最新信息：
論壇信息
會議時間：2021年12月6-8日
會議地點：深圳會展中心（福田區(qū)）
會議住宿：深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題：創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來
主辦單位
中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
論文重要期限及提交方式
口頭報告演示文件（PPT或PDF）與POSTER電子版提交截止日：2021年11月28日
備注：目前已經(jīng)進入專家審稿程序，在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿，歡迎大家直接投全文！
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
備注：總體日程概覽或有微調(diào)，以現(xiàn)場為準(zhǔn)。
注冊費用權(quán)益表
備注：
＊中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。
＊學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。
＊會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
＊若由于某些原因，您繳費后無法參會，可辦理退款事宜，組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續(xù)費。
＊SSL相關(guān)會議包含：開幕大會、半導(dǎo)體照明與應(yīng)用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)研討會、閉幕儀式。
＊IFWS相關(guān)會議包含：開幕大會、功率電子器件與應(yīng)用論壇、射頻電子器件與應(yīng)用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應(yīng)用論壇、車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會、閉幕儀式。
＊產(chǎn)業(yè)峰會包含：車用半導(dǎo)體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇，以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元（包括照明設(shè)計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應(yīng)用、Mini/Micro-LED應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應(yīng)用技術(shù)、能源互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)等會議單元）。
＊餐飲包含：12月6日午餐、6日歡迎晚宴（大中華希爾頓酒店）、7日午餐+晚餐。
報名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前，完成注冊繳費即可享受折扣票（詳見上圖），中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）或第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）成員單位在此基礎(chǔ)上再享受10%優(yōu)惠。學(xué)生參會需提交相關(guān)證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
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