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IFWS& SSLCHINA 2021前瞻:射頻電子器件與應用論壇最新日程出爐

日期:2021-11-26 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:370
核心提示:本論壇的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信(包括宏站、微站、毫米波等)中的應用等各方面
射頻分會 (2)
2021年12月6-8日,以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)聯(lián)合主辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。
 
期間,IFWS 2021:射頻電子器件與應用論壇將于12月6日舉行,論壇特別邀請韓國Wavice Inc首席技術官兼器件部門總監(jiān)Sangmin LEE,中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻,西安電子科技大學特聘教授劉志宏,中興通訊股份有限公司無線技術總工劉建利,羅德與施瓦茨市場發(fā)展經(jīng)理郭進龍,日本德島大學教授、西安電子科技大學特聘教授敖金平,中國電子科技集團公司第十三研究所首席科學家馮志紅,南京電子器件研究所高級工程師張凱,中國科學技術大學Alsaman A. amgad,ZTE中興可靠性工程師李強,中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心副研究員曾建平等代表性先進研究力量,分享射頻電子器件與應用的最新研究進展與研究成果。會議將由中國電子科技集團第五十八所所長、研究員蔡樹軍,蘇州能訊高能半導體有限公司董事長張乃千,中國科學院半導體研究所副所長、研究員張韻,南方科技大學深港微電子學院院長、教授于洪宇聯(lián)袂主持。
 
第三代半導體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點,在新一代移動通信中應用潛力巨大。這一特定領域的突破標志著寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。本論壇的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設計與制造、可靠性技術及其在移動通信(包括宏站、微站、毫米波等)中的應用等各方面。目前論壇最新日程出爐,也誠摯的邀請業(yè)界同仁的深度參與。
 
作為一年一度的行業(yè)盛會,論壇及同期活動將全面呈現(xiàn)第三代半導體產(chǎn)業(yè)動向及技術趨勢,為除了開幕大會、本屆論壇設有功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、電力電子標準與檢測研討會等超30場次論壇活動。聚焦第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的國內(nèi)外前沿進展;第三代半導體功率電子技術、光電子技術、射頻電子技術的產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與機遇;第三代半導體材料相關技術與新一代信息技術、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進與深度融合;產(chǎn)業(yè)鏈、供應鏈多元化與核心技術攻關等。也歡迎業(yè)界同仁參與其中,對接資源,洽談商機,共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
 
部分嘉賓簡介
蔡樹軍
蔡樹軍,現(xiàn)任中國電子科技集團公司第五十八研究所所長,研究員級高工。兼北京理工大學教授,華中科技大學教授,電子科技大學教授和香港科技大學助理教授,博士生導師;主要研究領域為硅,砷化鎵和氮化鎵等新型材料器件和電路。在國內(nèi)外刊物發(fā)表專業(yè)文章近百篇。
張乃千
 
張乃千,蘇州能訊高能半導體有限公司董事長,于2007年回國創(chuàng)辦了能訊半導體并任總裁。能訊是中國首家第三代半導體氮化鎵電子器件設計與制造商業(yè)企業(yè),自主進行氮化鎵外延生長、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。
張韻
張韻,中國科學院半導體研究所副所長、研究員。具備多年GaN、GaAs基器件的設計、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗。2006年至2010年,參與完成與美國國防部先進研究項目局(DARPA)在深紫外光電探測器領域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”, 及DARPA部署在可見光波段激光器領域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領域取得了豐碩成果的同時,在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗和世界領先的成果。迄今為止已在國際高水平學術期刊發(fā)表GaN方面文章20余篇,及40余篇國際會議文章和1項美國專利申請。相關研究成果先后4次被半導體網(wǎng)絡雜志Semiconductor Today作為熱點報道并獲得廣泛關注。
于洪宇
于洪宇,任南方科技大學教授,目前擔任深港微電子學院(國家示范性微電子學院)院長。在集成電路工藝與器件方面,包括CMOS、新型超高密度存儲器、GaN器件與系統(tǒng)集成(GaN HEMT)以及電子陶瓷方面發(fā)表學術論文近400篇,其中近180篇被SCI收錄,總他引次數(shù)近5000次,H 影響因子為39。編輯2本書籍并撰寫了4本專業(yè)書籍的章節(jié)。發(fā)表/被授予近20 項美國/歐洲專利以及30項以上國內(nèi)專利。作為項目負責人,承擔超過7000萬人民幣國家/省/市/以及橫向科研項目(包括新加坡主持項目)。產(chǎn)學研方面,在第三代半導體領域承擔了與華為/方正微電子等公司的橫向課題,使得GaN功率器件在其公司的p-line生產(chǎn),目前承擔一項6寸硅基GaN功率器件產(chǎn)業(yè)化的廣東省重大專項。在電子陶瓷領域創(chuàng)辦南灣通信科技有限公司,成功吸引天使投資1500萬用于量產(chǎn)介質濾波器。
Sangmin LEE
Sangmin LEE,Wavice Inc 首席技術官兼設備部門負責人
 
  Sangmin Lee,現(xiàn)任Wavice Inc 首席技術官兼設備部門負責人,韓國西江大學理學學士,韓國西江大學理學碩士,韓國西江大學固體物理學博士;1996 ~ 1998 - ETRI 博士后 ,2000 ~ 2001 - 加州大學圣巴巴拉分校博士后 ,2001 ~ 2005 - GCS 高級工藝工程師,2005 ~ 2010 - RFMD 技術資格經(jīng)理,2010 ~ 2015 - Cree 研究科學家 ,2015~至今- Wavice首席技術官。主要研究領域,寬禁帶半導體器件,包括 GaN、SiC、Ga2O3 · 毫米波器件(InP DHBT、GaN HEMT 等) · 高功率器件的可靠性和故障機制。 
劉建利
劉建利,中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工,1998年至2007年任中興通訊股份有限公司,RF研發(fā)工程師兼GSM, CDMA, UMTS等射頻功放研發(fā)團隊項目經(jīng)理。自2008年起,任中興通訊股份有限公司射頻功放平臺總工。
敖金平
敖金平,日本德島大學教授、西安電子科技大學教授,2003年11月起加入德島大學并于2012年升任準教授。2016年起任西安電子科技大學特聘教授,博士生導師。主要從事基于GaN的光電器件和電子器件的研究工作。在國際學術期刊和國際會議上發(fā)表論文200余篇,擁有多項發(fā)明專利。敖博士是國際電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員,美國電氣化學協(xié)會(ESC)會員,日本應用物理學會會員以及日本電子情報通信學會會員。
馮志紅
馮志紅,中國電科首席科學家,研究員,國際電工技術標準委員會(lEC)專家,中國電科十三所科技委副主任,專用集成電路國家級重點實驗室常務副主任。研究方向涉及寬禁帶半導體、碳電子和固態(tài)太赫茲電子技術。發(fā)表SCI文章200余篇,授權國家發(fā)明專利80余件,專著3冊。獲國家科技進步獎一等1項,中國電子學會技術發(fā)明獎一等1項,國防科技進步獎一等2項。
劉志宏
劉志宏,西安電子科技大學教授、博導。2007年加入新加坡南洋理工大學淡馬錫實驗室,任職Research Associate,負責氮化鎵微波器件和MMIC制造技術的研發(fā);2011年加入新加坡-麻省理工學院聯(lián)合科技中心(SMART),任職 PostDoc Associate、Research Scientist和Principal Research Scientist,負責硅基氮化鎵微波/毫米波/太赫茲器件、氮化鎵與硅CMOS異質集成技術、氮化鎵電力電子器件等的研發(fā)。2019年全職回國加入西安電子科技大學,任職教授、博導。為IEEE高級會員。目前研究方向為GaN等寬禁帶半導體器件物理、制造技術、表征建模與集成電路。

最新日程如下:
最新日程1125
備注:日程或有微調(diào),皆以現(xiàn)場為準。

附件:論壇資料
第七屆國際第三代半導體論壇
暨第十八屆中國國際半導體照明論壇
The 7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors
&The 18th China International Forum onSolid State Lighting
 
IFWS & SSLCHINA 2021
 
國際第三代半導體論壇(IFWS)是第三代半導體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會,是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。會議以促進第三代半導體與電力電子技術、移動通信技術、紫外探測技術和應用的國際交流與合作,引領第三代半導體新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨,全面覆蓋行業(yè)基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創(chuàng)新發(fā)展,聯(lián)結產(chǎn)、學、研、用,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。在過去的六年時間里,IFWS延請寬禁帶半導體領域國際頂級學術權威分享最前沿技術動態(tài),已發(fā)展成具有業(yè)界影響力的綜合性專業(yè)論壇。
 
中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)是半導體照明領域最具規(guī)模、參與度最高、口碑最好的全球性專業(yè)論壇。論壇以促進半導體照明技術和應用的國際交流與合作,引領半導體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向為活動宗旨,全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料,技術、產(chǎn)品與應用的創(chuàng)新發(fā)展,提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺,致力于拓展業(yè)界所關注的目標市場,以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價值。在過去的十七年里,SSLCHINA邀請了包括諾貝爾獎得主在內(nèi)的全球最頂級專家陣容,呈現(xiàn)了超過1800個專業(yè)報告,累計參會代表覆蓋全球70多個國家逾26500人次。
 
國際第三代半導體論壇與中國國際半導體照明論壇同時同地舉辦,同臺匯力,相映生輝,放眼LED+和先進電子材料更廣闊的未來。
 
論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。目前,論壇同期論文已開啟征集,論壇長期與IEEE合作。投稿的錄取論文會被遴選在IEEE Xplore 電子圖書館發(fā)表,IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫。

2021先進半導體技術應用創(chuàng)新展(CASTAS 2021)也同時招展中,歡迎業(yè)界人士的參與其中,對接資源,洽談商機,共商產(chǎn)業(yè)發(fā)展大計。
 
據(jù)了解,目前論壇組織工作正有序開展中,以下為會議最新信息:
 
論壇信息
會議時間:2021年12月6-8日
會議地點:深圳會展中心(福田區(qū))
會議住宿:深圳·大中華希爾頓酒店
論壇主題:創(chuàng)芯生態(tài)  碳索未來
 
主辦單位
國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)
 
論文重要期限及提交方式
 口頭報告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日:2021年11月28日
備注:目前已經(jīng)進入專家審稿程序,在全文提交截止前仍可繼續(xù)投稿,歡迎大家直接投全文!
IFWS & SSLCHINA 2021會議日程
會議日程安排
備注:總體日程概覽或有微調(diào),以現(xiàn)場為準。
注冊費用權益表
1124權益表

備注:

*國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。

*學生參會需提交相關證件。

*會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。

*若由于某些原因,您繳費后無法參會,可辦理退款事宜,組委會將扣除已繳費金額的40%作為退款手續(xù)費。

*SSL相關會議包含:開幕大會、半導體照明與應用論壇、Mini/Micro-LED及其他新型顯示論壇、超越照明論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、材料與裝備論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、生物農(nóng)業(yè)光照技術研討會、閉幕儀式。

*IFWS相關會議包含:開幕大會、功率電子器件與應用論壇、射頻電子器件與應用論壇、材料與裝備論壇、固態(tài)紫外器件與應用論壇、車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇、第三代半導體標準與檢測研討會、閉幕儀式。

*產(chǎn)業(yè)峰會包含:車用半導體創(chuàng)新合作峰會、第三代半導體產(chǎn)教融合發(fā)展論壇,以及部分論壇中的產(chǎn)業(yè)單元(包括照明設計與文旅燈光、智慧照明與智慧城市、汽車照明與車用燈具、紫外器件應用、Mini/Micro-LED應用與產(chǎn)業(yè)、新一代電源應用技術、能源互聯(lián)網(wǎng)應用技術等會議單元)。

*餐飲包含:126日午餐、6日歡迎晚宴(大中華希爾頓酒店)、7日午餐+晚餐。

報名優(yōu)惠期
即日起至2021年12月3日之前,完成注冊繳費即可享受折扣票(詳見上圖),國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)或第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)成員單位在此基礎上再享受10%優(yōu)惠。學生參會需提交相關證件。會議現(xiàn)場報到注冊不享受各種優(yōu)惠政策。
 
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