2月18日，中國碳化硅襯底企業(yè)迎來好消息。日本權威行業(yè)調(diào)研機構富士經(jīng)濟公布了《2024年版新一代功率器件&相關市場現(xiàn)狀和展望》報告，圍繞世界SiC/GaN的最新動向以及材料供不應求角度展開了分析和預測。據(jù)報告測算，2023年全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場占有率前三的公司有1家來自中國，天岳先進（SICC）超過高意(Coherent)躍居全球第二。Wolfspeed連續(xù)多年市占率第一，但受到來自其他襯底公司的競爭壓力，占比持續(xù)下滑。

報告指出，在電動汽車、電力設備以及能源領域驅(qū)動下，SiC功率器件市場需求整體堅挺， 2030年SiC功率器件市場規(guī)模將達到近150億美元，占到整體功率器件市場約24%，2035年則有望超過200億美元，屆時SiC器件市場規(guī)模將占到整體功率器件的40%以上。為此，業(yè)內(nèi)主要廠家都在積極進行擴建以及做好設備投資的準備，特別是中國企業(yè)，除滿足本國需求外，開始不斷擴張世界范圍內(nèi)的市場占有率。其中備受關注的依然是襯底材料。

天岳先進8英寸導電型碳化硅襯底

根據(jù)報告分析，全球SiC襯底銷售主要分布在四大市場，日本17.4%、中國24.4%、北美20%、歐洲29%。歐洲已成為全球最大的SiC襯底市場，報告指出：天岳先進先后和英飛凌和博世簽訂了長期供應協(xié)議，2023年和英飛凌簽訂了新的供應協(xié)議。

天岳先進在導電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)?；芰ι铣掷m(xù)展現(xiàn)超預期成果。通過與英飛凌、博世集團的長期供應協(xié)議，天岳先進在技術實力和規(guī)?；芰ι险宫F(xiàn)突出優(yōu)勢，推動業(yè)績的快速增長。銷售規(guī)模的持續(xù)擴大的基礎，來自于該公司以技術為支撐的產(chǎn)能提升上的良好進展。2023年5月天岳先進上海工廠啟用，目前仍處于產(chǎn)能提升階段。

天岳先進上海工廠

天岳先進長期專注SiC襯底積累的技術實力，在產(chǎn)能和客戶端已形成了獨有的優(yōu)勢。繼半絕緣型碳化硅襯底市占率連續(xù)4年位居全球前三以來，導電型襯底市占率提升至世界第二也得益于長期的技術積累。該公司在8英寸產(chǎn)品上也處于領先地位。

功率半導體行業(yè)在低碳化和電氣化時代將繼續(xù)獲得蓬勃的發(fā)展動力，碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料和器件將繼續(xù)成為這一領域關注的焦點。穩(wěn)定的供應和質(zhì)量保障成為占領市場高地的重要抓手，我們期待中國企業(yè)在世界半導體行業(yè)取得更耀眼的成績。

 （來源：天岳先進）