基于寬禁帶碳化硅（SiC）材料制備的功率MOSFET器件，具有擊穿電壓高、電流密度大、高溫性能穩(wěn)定、高頻特性好等優(yōu)點，有望在中高壓領域全面取代Si基功率MOSFET，在電動汽車、光伏儲能、軌道交通、智能電網等新能源產業(yè)前景廣闊。然而，高溫、高壓、大電流的工作條件，以及SiC材料天然存在的高密度界面缺陷，使其面臨嚴峻的失效和退化風險，限制了SiC功率MOSFET器件的進一步發(fā)展。因此，迫切需要全面研究該器件的可靠性機理，優(yōu)化器件結構，提升電學性能和可靠性。 

4 月26-28日，“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）”將于成都召開。期間，東南大學集成電路學院副研究員魏家行受邀將出席會議，并做《碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究》的主題報告。分享高性能SiC功率MOSFET器件的結構與電學特性，剖析其在不同應用場景中面對的可靠性挑戰(zhàn)，并展望未來的發(fā)展趨勢和方向。欲知詳情，敬請關注會議。

魏家行，博士，東南大學副研究員，主要從事功率半導體器件及其集成技術的研究工作。共發(fā)表權威期刊和國際會議論文40余篇，其中一作/通訊20篇；授權PCT專利2項，中國發(fā)明專利15項；主持/骨干參與國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等項目10余項；獲東南大學“至善青年學者”支持；獲2021年江蘇省科學技術二等獎。

會議信息

“2024功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2024）是在電子科技大學和第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導下，極智半導體產業(yè)網聯(lián)合電子薄膜與集成器件國家重點實驗室、成都信息工程大學、電子科技大學集成電路研究中心、第三代半導體產業(yè)于2024年4月26-28日共同主辦”，論壇會議內容將涵蓋寬禁帶碳化硅和氮化鎵為代表的高壓及低壓等電力電子器件、功率集成電路、封裝等幾大主題，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。

會議時間：2024年4月26-28日

會議地點：四川·成都·成都金韻酒店六層

組織機構：

指導單位：

電子科技大學

第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：

電子薄膜與集成器件全國重點實驗室

成都信息工程大學

電子科技大學集成電路研究中心

極智半導體產業(yè)網（www.jycsgw.cn）

第三代半導體產業(yè)

承辦單位

北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

協(xié)辦支持：

成都氮矽科技有限公司

程序委員會：

大會主席：張波

程序委員會主席：羅小蓉

副主席：趙璐冰 周琦

程序委員會：鄧小川 龍世兵 王來利 明鑫 楊樹 劉斯揚 郭清 魏進 金銳 周春華 劉成 蔣其夢 高巍 包琦龍 潘嶺峰 葉懷宇 劉雯 張召富 李虞鋒 魏杰等

二、主題方向

主題方向：

1.硅基功率器件與集成技術

高壓硅基功率器件（>200 V）、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、低壓硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件

2.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

3.碳化硅、氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術

碳化硅功率器件、氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術

4.模組與封裝技術

功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性

5.功率集成電路設計

功率集成IC設計、寬禁帶功率器件驅動IC、功率集成電路測試技術、功率集成工藝平臺與制造技術

6.面向功率器件及集成電路的核心材料及裝備

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料、退火、刻蝕、離子注入、封裝、檢測及測試設備等

三、會議日程（擬定）   

時間：2024年4月26-28日    

地點：成都金韻酒店六樓   四川省成都市金牛區(qū)金府路668號

 擬參與單位：

電子科技大學、成都信息工程大學、中芯國際、三安半導體、浙江大學、中國科學技術大學、東南大學、西安電子科技大學、西安交通大學、清華大學、西安理工大學、山東天岳、科友半導體、國星光電、ULVAC、華虹半導體、斯達半導體、蓉矽半導體、陽光電源、揚杰科技、英飛凌、北京大學、廈門大學、中科院半導體所、南京大學、中科院微電子所、長飛半導體、華為、海思半導體、鍇威特、基本半導體、中電科四十六所、中電科五十五所、天津大學、華大九天、西門子、博世、三環(huán)集團、中科院微電子所、中鎵半導體、日立、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、國家電網、華大半導體、意法半導體、中博芯、西安愛科賽博 、小鵬汽車、復旦大學、東莞天域、比亞迪半導體、西安西馳電氣、理想汽車、英諾賽科、士蘭微、芯邁半導體、中國科學院電工所、立昂微電子、長川科技、眾硅電子、萊普科技、海威華芯、麥科信、安徽大學、云鎵半導體、高芯（河南）半導體……

活動參與：

注冊費2800元，4月18日前注冊報名2500元（含會議資料袋，27日歡迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。

2、繳費方式

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+成都，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

③現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）

報告及論文投稿聯(lián)系：

賈先生18310277858，jiaxl@casmita.com

白女士18888840079，bailu@casmita.com

參會及商務合作：

賈先生 18310277858，jiaxl@casmita.com

張女士 13681329411，zhangww@casmita.com

段先生 13717922543，duanpf@casmita.com

協(xié)議酒店：

酒店名稱：成都金韻酒店（成都金府路668號）

聯(lián)系人 何經理 13548180263，2569807009@qq.com

協(xié)議價格：400  元/每晚（含早）