在中美技術(shù)競爭加劇的背景下，中國香港正建立首條新一代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）晶圓生產(chǎn)線，力爭在全球芯片行業(yè)站穩(wěn)腳跟。

MassPhoton創(chuàng)始人兼CEO Eason Liao表示，該公司于2024年1月在香港成立，正與政府資助的香港科技園（HKSTP）合作建立一條8英寸GaN外延晶圓試點(diǎn)生產(chǎn)線，目標(biāo)是到2027年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能10000片。香港科技園孵化器在一份聲明中表示，MassPhoton專門生產(chǎn)紫外線C消毒產(chǎn)品，將投資2億港元（2560萬美元）新建晶圓生產(chǎn)線，并在科學(xué)園設(shè)立GaN技術(shù)研發(fā)中心。

GaN和碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，具有能源效率更高、體積更小等優(yōu)勢。計劃中的GaN生產(chǎn)線正值香港著眼于全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的份額，這是香港在地緣政治緊張局勢加劇的情況下努力成為創(chuàng)新和技術(shù)中心的一部分。

去年10月，香港科技園還與中國大陸芯片公司杰平方半導(dǎo)體（J2 Semiconductor）簽署了一份諒解備忘錄，目標(biāo)是建立香港首個SiC 8英寸晶圓廠和新的第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心。杰平方半導(dǎo)體承諾為該項目投資69億港元，并計劃到2028年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬片晶圓的產(chǎn)能。香港創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東當(dāng)時表示，香港選擇專注于第三代半導(dǎo)體的原因之一是，用于制造第三代半導(dǎo)體的設(shè)備限制較少，因此相對容易獲得關(guān)鍵設(shè)備。美國的出口限制切斷了中國大陸獲得一些最先進(jìn)芯片制造設(shè)備的渠道。

MassPhoton CEO Eason Liao表示：“我們對第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的一致性充滿信心。”他補(bǔ)充說，許多中國大陸SiC公司已經(jīng)在全球處于行業(yè)領(lǐng)先地位。Eason Liao表示，MassPhoton的目標(biāo)是將其GaN晶圓應(yīng)用于顯示技術(shù)、汽車和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。他還表示，該公司還計劃在今年底前再籌集1億港元資金。

香港立法會于今年5月批準(zhǔn)為政府撥款28.4億港元，用于建立半導(dǎo)體研究中心。香港科技園表示，計劃在元朗創(chuàng)新園設(shè)立的微電子中心預(yù)計將于今年投入運(yùn)營。

（來源：集微）