2024年8月8日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關(guān)管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過2項SiC MOSFET測試方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：

秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。 

T/CASAS 050—202X 面向充電模組的SiC MOSFET動態(tài)高溫工作壽命試驗方法基于動態(tài)高溫工作壽命試驗（DHTOL），提出一種專門面向充電模組應(yīng)用場景的可靠性評價方法，主要考察SiC MOSFET在硬開關(guān)應(yīng)力下的動態(tài)導通電阻變化，評價和保障SiC MOSFET在充電模組應(yīng)用環(huán)境下的效率和壽命。 

T/CASAS 051—202X SiC MOSFET穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命評價方法主要基于穩(wěn)態(tài)高溫工作壽命試驗，結(jié)合結(jié)溫監(jiān)測、熱阻測試、電參數(shù)測試等，形成一套適用于SiC MOSFET的穩(wěn)態(tài)工作壽命評價方法，為器件、模塊在各種復雜應(yīng)用場景下的實際工作壽命評價提供基礎(chǔ)性參考。

（來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）