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宏觀環(huán)境多方影響,新潔能第三代導(dǎo)體募資項(xiàng)目延期

日期:2024-08-15 閱讀:442
核心提示:第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》募投項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)的時(shí)間延期至2025年8月。

 8月12日,新潔能發(fā)布公告稱,公司當(dāng)日審議通過了《關(guān)于部分募投項(xiàng)目延期的議案》,在募投項(xiàng)目實(shí)施主體、實(shí)施方式、募集資金投資用途及投資規(guī)模不發(fā)生變更的情況下,擬對《第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》募投項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)的時(shí)間延期至2025年8月。

《第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》項(xiàng)目的擬投入募集資為20,000萬元,截至6月30日已使用募集資金391.43萬元。

關(guān)于項(xiàng)目延期的原因,新潔能說明稱,受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。經(jīng)審慎評估后,新潔能決定對《第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》的建設(shè)時(shí)間進(jìn)行調(diào)整。

該公司同時(shí)表示,盡管該項(xiàng)目在募投方面進(jìn)行延期,但僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的變化,不會對募投項(xiàng)目實(shí)施造成實(shí)時(shí)性影響,對公司正常經(jīng)營并無重大影響產(chǎn)生。

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