2025年4月9日，南智光電正式發(fā)布國內(nèi)首個硅基薄膜鉭酸鋰光子芯片PDK：IOPTEE-Si-TFLT-600-V1.0，并同步開放該材料平臺的光電芯片流片服務(wù)。繼昨日發(fā)布兩款鈮酸鋰光子芯片與MEMS芯片PDK引發(fā)業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注后，南智光電再度以技術(shù)創(chuàng)新打出“連擊”，進一步完善了“薄膜鈮酸鋰+X”光電異質(zhì)集成技術(shù)體系。
薄膜鉭酸鋰在光電子芯片領(lǐng)域展現(xiàn)出獨特競爭力：其具備與薄膜鈮酸鋰近的高電光系數(shù)（約30 pm/V），支持超高速電光調(diào)制器和寬帶光信號處理；同時，其熱膨脹系數(shù)與硅基襯底更接近，結(jié)合優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性，顯著降低熱應(yīng)力引發(fā)的器件形變或失效風(fēng)險；更高的光損傷閾值則使其在高功率激光調(diào)制、強光場非線性光學(xué)（如量子糾纏光源）及超快激光系統(tǒng)中更具可靠性。目前，薄膜鉭酸鋰可應(yīng)用于高速光互連及多光譜集成傳感等領(lǐng)域，已成為下一代高性能光電子集成的核心材料候選。
IOPTEE-Si-TFLT-600-V1.0示意圖
本次發(fā)布的PDK包含光波導(dǎo)、電光調(diào)制器、MMI分束器、端面耦合器等核心器件。其中光波導(dǎo)傳輸損耗低于0.6dB/cm，電光調(diào)制器帶寬可達50GHz以上。
薄膜鉭酸鋰波導(dǎo)與電光調(diào)制器帶寬測試結(jié)果
本次連續(xù)發(fā)布多款PDK，充分展示了南智光電在光電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新能力。南智光電平臺始終堅持技術(shù)中立、開放賦能的原則，致力于為產(chǎn)業(yè)生態(tài)合作伙伴提供標(biāo)準(zhǔn)化、定制化的小批量研發(fā)和流片服務(wù)。此次推出的硅基薄膜鉭酸鋰PDK，將有效覆蓋當(dāng)前光通信、光傳感、人工智能等熱門領(lǐng)域，助力行業(yè)伙伴快速實現(xiàn)技術(shù)迭代與產(chǎn)品上市。 （來源：南智光電）
