2025年4月29日，由北京華峰測控技術(shù)股份有限公司牽頭起草的3項SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制，正式面向第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個月。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2025年4月29日起開始征求意見，截止日期2025年5月29日。

征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。

征求意見標(biāo)準(zhǔn)列表（No.1）

T/CASAS 038—202X《SiC MOSFET非鉗位電感開關(guān)（UIS）測試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET非鉗位電感開關(guān)（UIS）的測試方法，包括單脈沖雪崩擊穿能量（EAS）和重復(fù)雪崩擊穿能量（EAR）的測試原理、測試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET分立器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實驗室研發(fā)等階段的UIS測試。對于SiC MOSFET功率模塊，可在將單管封裝成模塊前參照本文件對單管進(jìn)行測試。

T/CASAS 039—202X《SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性測試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET單管功率器件短路可靠性的測試方法，包括Ⅰ類、Ⅱ類、Ⅲ類短路的測試原理、測試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。 

本文件適用于SiC MOSFET單管功率器件在FT（Final Test）、CP（Chip Probe）、KGD（Known Good Die）、實驗室研發(fā)等階段的短路可靠性測試。

T/CASAS 040—202X《SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法》 

本文件規(guī)定了SiC MOSFET功率模塊短路可靠性測試方法，包括測試原理、測試流程、數(shù)據(jù)記錄和處理等內(nèi)容。

 本文件適用于SiC MOSFET功率模塊在FT（Final Test）、實驗室研發(fā)等階段的短路可靠性測試。

北京華峰測控技術(shù)股份有限公司

北京華峰測控技術(shù)股份有限公司（以下簡稱“華峰測控”），作為國內(nèi)最早進(jìn)入半導(dǎo)體測試設(shè)備行業(yè)的企業(yè)之一，已在行業(yè)深耕近三十年，始終聚焦于模擬和混合信號測試設(shè)備領(lǐng)域。 

華峰測控憑借產(chǎn)品的高性能、易操作和服務(wù)優(yōu)勢等特點，在模擬及數(shù)?；旌蠝y試設(shè)備領(lǐng)域多次打破了國外廠商的壟斷地位，在營收和品牌優(yōu)勢方面均已達(dá)到了國內(nèi)領(lǐng)先水平。華峰測控產(chǎn)品不但在中國境內(nèi)批量銷售，還外銷至中國臺灣、美國、歐洲、韓國、日本及東南亞等境外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)達(dá)地區(qū)。截至2024年5月底，華峰測控產(chǎn)品全球累計裝機(jī)量突破7000臺。 

華峰測控目前已成為國內(nèi)前三大半導(dǎo)體封測廠商模擬測試領(lǐng)域的主力測試平臺供應(yīng)商，擁有著上百家集成電路設(shè)計企業(yè)客戶資源，同時也與超過三百家以上的集成電路設(shè)計企業(yè)保持著緊密的業(yè)務(wù)合作關(guān)系。未來，中國自主芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展將為華峰測控高速、持續(xù)的成長提供重大發(fā)展機(jī)遇。