5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.jycsgw.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。  

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。屆時(shí)，北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將出席會議，并帶來《SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進(jìn)展 》的主題報(bào)告。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚盛會，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。  

嘉賓簡介

王川寶，2012年獲得北京航空航天大學(xué)材料學(xué)學(xué)位，后就職于中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，射頻器件領(lǐng)域?qū)＜?。目前就職北京國?lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司，任技術(shù)總監(jiān)。從事氮化鎵、碳化硅等化合物器件工藝開發(fā)和器件研發(fā)工作。負(fù)責(zé)5G基站用GaN功率管研發(fā)及推廣，期間解決多個(gè)影響GaN功率管長期可靠性的本質(zhì)問題，配合用戶實(shí)現(xiàn)GaN產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)應(yīng)用，產(chǎn)品性能指標(biāo)和可靠性處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。獲得國家級獎勵一項(xiàng)，省部級獎勵一項(xiàng)，授權(quán)專利四項(xiàng)。

公司簡介

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司成立于2015年，是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院（中電十三所）下屬上市公司“中瓷電子：003031”的全資子公司。公司位于北京市順義區(qū)文良街15號，占地面積47.2畝，建筑面積7.1萬平方米。公司主營業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售，同時(shí)開展第三代半導(dǎo)體封裝、模塊、科技服務(wù)等業(yè)務(wù)。公司主導(dǎo)產(chǎn)品氮化鎵射頻功放芯片產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國際領(lǐng)先，并已在世界主流通信公司得到規(guī)模應(yīng)用，累計(jì)發(fā)貨突破2億只;碳化硅 MOSFET產(chǎn)品技術(shù)水平達(dá)到國際先進(jìn)，并已在新能源汽車、充電樁等領(lǐng)域開始大批量應(yīng)用，累計(jì)發(fā)貨突破5萬只。

公司擁有國家“雙創(chuàng)”支撐平臺、眾創(chuàng)空間、中關(guān)村硬科技孵化平臺、北京市科技企業(yè)孵化器等資質(zhì)，是國家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)中心(北京)主要建設(shè)和運(yùn)營主體單位。2023年，國聯(lián)萬眾和中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院控股上市公司“中瓷電子”重組成功，獲得募集資金將建設(shè)和開展“第三代半導(dǎo)體工藝及封測平臺建設(shè)項(xiàng)目”和“碳化硅高壓功率模塊關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”，進(jìn)一步補(bǔ)充芯片及模塊產(chǎn)能，推動我國第三代半導(dǎo)體核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控，成為國際一流的第三代半導(dǎo)體骨干企業(yè)。

部分產(chǎn)品

SiC電力電子芯片

技術(shù)參數(shù)：SiC導(dǎo)電型襯底，6-8英寸薄片工藝（二極管芯片厚度100微米、MOSFET芯片厚度180微米），650V/1200V/1700V三大工作電壓系列，工作電流2-130A。

應(yīng)用領(lǐng)域：PC、服務(wù)器、通訊電源、車載OBC、充電樁、光伏逆變器、PD快充。

GaN-HEMT射頻芯片

技術(shù)參數(shù)：頻率DC-18GHz，工作電壓5-70V，最大功率2000W（定制化產(chǎn)品）。

應(yīng)用領(lǐng)域：雷達(dá)、通訊、射頻能源、通信干擾、無人機(jī)傳圖。

DWC3封裝SiC MOSFET三相全橋模塊

技術(shù)參數(shù)：采用真空回流焊工藝，AlSiC底板+低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷，最高工作結(jié)溫175℃，寄生電感低于10nH，VDS：650~1700V， ID：300~700A，RDS(on) ：1.7~8.3mΩ

應(yīng)用領(lǐng)域：重卡電機(jī)驅(qū)動

時(shí)間地點(diǎn)

5月22日-24日

（5月22日下午報(bào)到，23-24日會議日）

南京熹禾涵田酒店（南京市浦口區(qū)象賢路158號） 

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位：

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

主辦單位：南京郵電大學(xué)極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.jycsgw.cn）第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位：南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持：電子科技大學(xué)南京郵電大學(xué)南通研究院蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司

大會主席：郭宇鋒 聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰程序委員會：盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚(yáng) 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯  鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任：姚佳飛  

副主任：涂長峰

成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等 

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計(jì)技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計(jì)與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料（柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設(shè)計(jì)、封裝與測試 

會議日程

備注：上述日程或有更新僅供參考，最終以現(xiàn)場實(shí)際為準(zhǔn)！

會議參與擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚(yáng)杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、香港大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、國聯(lián)萬眾、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導(dǎo)體、中科院納米所、九峰山實(shí)驗(yàn)室、平湖實(shí)驗(yàn)室、北京工業(yè)大學(xué)、深圳大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)……等等 

會議參與

活動注冊：   

注冊費(fèi)2800元，5月15日前注冊報(bào)名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）

繳費(fèi)方式：

①銀行匯款

開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號：336 356 029 261

名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動支付

備注：通過銀行匯款/移動支付，請務(wù)必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報(bào)名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。 

掃碼預(yù)報(bào)名：

備注：此碼為預(yù)報(bào)名通道，完成信息提交后，

需要對公匯款或者掃碼支付注冊費(fèi)。

論文投稿及報(bào)告咨詢：

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系：

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com張

女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx投稿文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)（英文）》。 

會議酒店：

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價(jià)格：標(biāo)間&大床房，400元/晚，含早餐

地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號

聯(lián)系人：陸經(jīng)理 

電話：15050562332、025-58628888

郵箱：503766958@qq.com