亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

泰科天潤“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布

日期:2025-07-10 閱讀:203
核心提示:天眼查顯示,泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法專利公布,申請公布日為2025年3月14

 天眼查顯示,泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司“一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法”專利公布,申請公布日為2025年3月14日,申請公布號為CN119630038A。 

本發(fā)明提供了一種低反向恢復(fù)干擾平面柵VDMOS及其制備方法,在設(shè)有漏極金屬層的碳化硅襯底上方形成阻擋層,刻蝕阻擋層形成通孔,對碳化硅襯底進行離子注入,形成多個緩沖區(qū);去除阻擋層,在碳化硅襯底上外延生長,形成漂移層;在漂移層上方形成阻擋層,刻蝕,離子注入,形成變摻雜區(qū)、P型阱區(qū)、P型源區(qū)及N型源區(qū);重新形成阻擋層,刻蝕阻擋層形成通孔,淀積形成柵介質(zhì)層;重新形成阻擋層,刻蝕阻擋層形成通孔,淀積金屬,形成柵極金屬層;重新形成阻擋層,刻蝕阻擋層形成通孔,淀積金屬,形成源極金屬層,去除阻擋層,完成制備,在器件內(nèi)部構(gòu)建了緩沖區(qū),可以有效降低器件的反向恢復(fù)過沖的上升沿,降低器件的對外干擾。

打賞
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部