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年底通線!株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進(jìn)展

日期:2025-05-26 閱讀:462
核心提示:株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林向投資者表示,株洲三期于2024年11月份啟動建設(shè),2025年5月,主體廠房封頂,預(yù)計2025年下半年啟動設(shè)備搬入,2025年底有望實現(xiàn)產(chǎn)線拉通,該項目為8英寸SiC晶圓。

 5月21日,科創(chuàng)板細(xì)分行業(yè)集體業(yè)績說明會之先進(jìn)軌道交通行業(yè)專場于上證路演中心召開。會上株洲中車時代電氣股份有限公司就重點項目進(jìn)展、新的經(jīng)營計劃等內(nèi)容和投資者展開交流。

株洲中車董事長、執(zhí)行董事李東林向投資者表示,株洲三期于2024年11月份啟動建設(shè),2025年5月,主體廠房封頂,預(yù)計2025年下半年啟動設(shè)備搬入,2025年底有望實現(xiàn)產(chǎn)線拉通,該項目為8英寸SiC晶圓。

據(jù)介紹,株洲中車擁有一條6英寸SiC芯片產(chǎn)線,當(dāng)前已具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸SiC芯片產(chǎn)能。

當(dāng)前株洲中車SiC第三代精細(xì)平面柵產(chǎn)品已定型,技術(shù)水平行業(yè)主流;第四代溝槽柵設(shè)計定型,達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平,并且對第五代SiC技術(shù)完成布局。

目前SiC重點產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET,1200V SBD等,1200V溝槽柵 SiC MOSFET性能指標(biāo)基本對標(biāo)國際龍頭企業(yè)。2022年底,新能源車用全SiCC-Car平臺孵化的全新一代產(chǎn)品C-Power 220s正式發(fā)布,目前正在整車廠送樣驗證階段。

李東林還介紹道,公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級,適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求,可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、UPS、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。公司SiC產(chǎn)品(SBD)在光伏領(lǐng)域批量供貨,SiC TO器件在充電樁、OBC、電源檢測等領(lǐng)域批量供貨。2025年公司SiC MOSFET產(chǎn)品有望突破新能源車主驅(qū)批量出貨。

來源:證券時報網(wǎng)

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