據(jù)香港科技大學(xué)快訊報(bào)道，近日，由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”迎來(lái)里程碑時(shí)刻——其位于南沙的首個(gè)先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用！該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實(shí)現(xiàn) “從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

拓諾稀科技生產(chǎn)廠房位于粵港澳大灣區(qū)“黃金內(nèi)灣”廣州南沙，占地約500平方米，集研發(fā)、測(cè)試、制造、工藝支持于一體。設(shè)有MOCVD工藝區(qū)和離子注入室、專用的氣體儲(chǔ)存間、固廢處理間，全面保障高科技產(chǎn)品制造的穩(wěn)定與安全。

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)（廣州）陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)，是全球獨(dú)家通過(guò)MOCVD工藝實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補(bǔ)了氧化鎵材料體系中長(zhǎng)期缺失的p型導(dǎo)電空白。

陳子強(qiáng)教授表示：“我們解決了氧化鎵20年的無(wú)p型導(dǎo)電性能痛點(diǎn)，解鎖氧化鎵的雙極器件能力，重構(gòu)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，市場(chǎng)規(guī)模提升至少10倍，百億規(guī)模市場(chǎng)變?yōu)閿?shù)干億規(guī)模市場(chǎng)。”

據(jù)悉，團(tuán)隊(duì)成功改造MOCVD工藝的生產(chǎn)設(shè)備在廠房中運(yùn)行良好，實(shí)現(xiàn)了設(shè)備平臺(tái)與氧化鎵材料的深度適配，為第四代半導(dǎo)體材料的本土化生產(chǎn)與應(yīng)用提供了可持續(xù)的技術(shù)支持平臺(tái)。