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標準/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

日期:2025-07-21 閱讀:223
核心提示:2025年7月18日,由廈門市三安集成電路有限公司牽頭起草的T/CASAS 057202X《高頻開關(guān)應用下GaN功率器件開關(guān)運行狀態(tài)可靠性試驗方

2025年7月18日,由廈門市三安集成電路有限公司牽頭起草的T/CASAS 057—202X《高頻開關(guān)應用下GaN功率器件開關(guān)運行狀態(tài)可靠性試驗方法》以及由蘇州晶湛半導體有限公司牽頭起草的T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》已形成委員會草案(CD),兩項標準委員會草案按照CASAS標準制定程序,反復斟酌、修改、編制而成,根據(jù)CASAS相關(guān)管理辦法,現(xiàn)面向CASAS正式成員發(fā)起委員會草案投票,截止時間2025年8月1日。請聯(lián)盟標委會正式成員關(guān)注秘書處郵件。

非聯(lián)盟成員及聯(lián)盟普通成員如有需要,可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。


T/CASAS 057—202X《高頻開關(guān)應用下GaN功率器件開關(guān)運行狀態(tài)可靠性試驗方法》規(guī)定了用于評估高頻開關(guān)應用下(頻率≥100kHz)GaN功率器件開關(guān)運行狀態(tài)可靠性試驗方法,用以表征及評估GaN功率器件在連續(xù)開關(guān)應力作用下器件的退化及失效,以確保其以快充適配器代表的典型應用領(lǐng)域下穩(wěn)定運行,實現(xiàn)系統(tǒng)整體性能的提升。

本文件適用于進行GaN 功率器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應用評估等工作場景??蓱糜谝韵缕骷?/p>

1) GaN增強型(E-Mode)和耗盡型(D-Mode)分立功率電子器件;

2) GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件;

3) 以上的晶圓級及封裝級產(chǎn)品。

T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》規(guī)定了用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片(以下簡稱“氮化鎵外延片”)的分類、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、包裝、運輸和貯存。適用于在硅襯底上生長的用于功率電子領(lǐng)域的具有復合結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn),測試分析及質(zhì)量評價。

(來源:第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟)

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