2025年7月18日，由廈門市三安集成電路有限公司牽頭起草的T/CASAS 057—202X《高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開(kāi)關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》以及由蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司牽頭起草的T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》已形成委員會(huì)草案（CD），兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，根據(jù)CASAS相關(guān)管理辦法，現(xiàn)面向CASAS正式成員發(fā)起委員會(huì)草案投票，截止時(shí)間2025年8月1日。請(qǐng)聯(lián)盟標(biāo)委會(huì)正式成員關(guān)注秘書(shū)處郵件。
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T/CASAS 057—202X《高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開(kāi)關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》規(guī)定了用于評(píng)估高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用下（頻率≥100kHz）GaN功率器件開(kāi)關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法，用以表征及評(píng)估GaN功率器件在連續(xù)開(kāi)關(guān)應(yīng)力作用下器件的退化及失效，以確保其以快充適配器代表的典型應(yīng)用領(lǐng)域下穩(wěn)定運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整體性能的提升。 本文件適用于進(jìn)行GaN 功率器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景?？蓱?yīng)用于以下器件： 1） GaN增強(qiáng)型（E-Mode）和耗盡型（D-Mode）分立功率電子器件； 2） GaN功率集成器件和共源共柵GaN功率器件； 3） 以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。 T/CASAS 060—202X《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》規(guī)定了用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片（以下簡(jiǎn)稱“氮化鎵外延片”）的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存。適用于在硅襯底上生長(zhǎng)的用于功率電子領(lǐng)域的具有復(fù)合結(jié)構(gòu)的氮化鎵外延片的研發(fā)生產(chǎn)，測(cè)試分析及質(zhì)量評(píng)價(jià)。 (來(lái)源：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟)
