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中國科學家首創(chuàng)“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料

日期:2025-07-22 來源:新華網(wǎng)閱讀:232
核心提示:由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經(jīng)四年攻關,首創(chuàng)一種“蒸籠”新方法,首次在國際上成功實現(xiàn)高質量硒化銦材料的晶圓級集成制造,并研制出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。

 新華社北京7月18日電(記者魏夢佳)集成電路是現(xiàn)代信息技術的核心基礎。近年來,隨著硅基芯片性能逐步逼近物理極限,開發(fā)新型高性能、低能耗半導體材料,成為全球科技研發(fā)熱點。其中,二維層狀半導體材料硒化銦因遷移率高、熱速度快等優(yōu)良性能,被視為有望打破硅基物理限制的新材料。

由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經(jīng)四年攻關,首創(chuàng)一種“蒸籠”新方法,首次在國際上成功實現(xiàn)高質量硒化銦材料的晶圓級集成制造,并研制出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。該成果18日在線發(fā)表于《科學》雜志。

硒化銦被譽為“黃金半導體”。但長期以來,硒化銦的大面積、高質量制備未能實現(xiàn),制約著該材料走向大規(guī)模集成應用,成為國際半導體領域的一大技術挑戰(zhàn)。

“要制備高質量、性能好的硒化銦,很關鍵的一步就是要在制備過程中保持硒原子和銦原子數(shù)量嚴格達到1:1的比例。”北大物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所所長劉開輝說。傳統(tǒng)的制備方法,通常利用開放容器加熱硒和銦,但因其“蒸發(fā)”速率不同,無法確保二者原子數(shù)量達到最優(yōu)比例,致使制備出的晶體質量不高。

為此,研究團隊創(chuàng)造出一種“固-液-固”相變生長新思路:先將簡單制備的低質量、原子排列不規(guī)則的非晶硒化銦薄膜,放置于圓形不銹鋼容器里,再將固態(tài)銦放入容器卡槽,蓋蓋密封并將其加熱,升溫后銦形成液態(tài)金屬密封圈。這種密封效果“好像在蒸籠邊包上一層紗”。之后,蒸汽態(tài)的銦原子被自然“蒸”到薄膜邊緣,形成富銦液態(tài)邊界,逐漸“長成”高質量、原子排列規(guī)則的硒化銦晶體。

“這種‘封銦’的做法就好像我們用蒸籠蒸饅頭一樣,將蒸汽封在容器里,蓋子蓋嚴實,就可保證硒和銦的原子比數(shù)量相當,從而長成高質量晶體。硒化銦薄膜就像從‘面團’變?yōu)?lsquo;饅頭’,重量幾乎不變,但內部結構煥然一新。”劉開輝說。

這一新方法突破了硒化銦從實驗室走向工程化應用的關鍵瓶頸。

北大電子學院研究員邱晨光說,團隊現(xiàn)已制備出直徑5厘米的硒化銦晶圓,并構建了高性能晶體管大規(guī)模陣列,可直接用于集成芯片器件。實驗證明,基于二維硒化銦晶圓的集成器件,其優(yōu)勢在關鍵電學性能指標與能效方面,分別可達3納米硅基芯片的3倍和10倍。

《科學》雜志審稿人評論稱“這是晶體生長領域的一項重要突破”。劉開輝認為,這項新成果為開發(fā)新一代高性能、低功耗芯片提供了新路徑,未來有望廣泛應用于人工智能、自動駕駛、智能終端等前沿領域。

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