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武漢大學袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

太原理工大學和武漢大學在金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進展

中科院半導體研究所公開一項集成光子芯片專利可提升光模塊性能

全球首顆！我國芯片領(lǐng)域取得重大突破！

九峰山實驗室著力破解太赫茲器件頻率瓶頸

中科大龍世兵課題組 | 基于交變柵壓調(diào)制的Ga2O3光電探測器

日本開發(fā)新技術(shù)，可實現(xiàn)GaN垂直導電

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

廈大曹陽教授團隊在單原子層六方氮化硼用于提升析氧反應性能研究方面取得進展

北理工團隊在室溫運行中波紅外探測器研究方面取得突破性進展

科研新進展 | 廈門大學張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果

中國首個繆子源實驗站即將開建

上海技物所在片上紅外光電邏輯門智能芯片研究方面取得進展

南開團隊在缺陷調(diào)控構(gòu)筑新光電材料方面取得重要進展

清華發(fā)布新Nature，實現(xiàn)光電融合新突破！

我國芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新突破算力提升三千余倍

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進展

國際首次！南大團隊將二維半導體集成電路推向千兆赫茲

深港微電子學院安豐偉課題組在圖像芯片領(lǐng)域取得新進展

鎵和半導體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

本源科儀國產(chǎn)量子芯片設(shè)計工業(yè)軟件Q-EDA完成第四次技術(shù)迭代

上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實現(xiàn)突破

長春光機所和武漢大學聯(lián)合團隊OEA | 深紫外LED高效消殺人類呼吸道RNA病毒

嘉善復旦研究院與復旦大學科研團隊在低傳導損耗功率器件方面取得重大進展

中國科學院上海微系統(tǒng)所在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面實現(xiàn)突破

SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣

上海光機所3D打印激光照明透明陶瓷研究取得進展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進展

深紫外光子滅活技術(shù)【廈門大學康俊勇教授團隊】

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