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標(biāo)準(zhǔn) |華峰測(cè)控牽頭的3項(xiàng)SiC MOSFET UIS/單管短路/模塊短路測(cè)試方法形成征求意見稿

清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對(duì)拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級(jí)老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺(tái)方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺(tái)

蘇州創(chuàng)芯致尚取得一種SIC MOSFET芯片生產(chǎn)用切割裝置專利，提高切割穩(wěn)定性和精準(zhǔn)度

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報(bào)告前瞻|湖南三安半導(dǎo)體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技術(shù)平臺(tái)

清純半導(dǎo)體SiC MOSFET年度銷售額首次突破億元

萬國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

基于新型SiC復(fù)合襯底的低成本MOSFET取得重要進(jìn)展

森國(guó)科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

吳偉東：SiC功率MOSFET老化檢測(cè)智能柵極驅(qū)動(dòng)器

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

泰科天潤(rùn)“一種低導(dǎo)通電阻三柵縱向碳化硅MOSFET”專利獲授權(quán)

IFWS&SSLCHINA2024|CASA9項(xiàng) SiC MOSFET測(cè)試與可靠性標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

華虹半導(dǎo)體“低壓超結(jié)MOSFET的工藝方法”專利公布

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡(jiǎn)單

上海華虹宏力申請(qǐng)接觸孔自對(duì)準(zhǔn)的MOSFET制造方法專利

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

華虹宏力“一種嵌入式肖特基MOSFET制作方法”專利公布

SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

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