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基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

深圳這家半導(dǎo)體工廠宣布停工停產(chǎn)放假3個(gè)月

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所張德清課題組在聚合物半導(dǎo)體圖案化加工方面取得新進(jìn)展

半導(dǎo)體所等在砷化鎵（GaAs）中產(chǎn)生自旋極化研究方面取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在氮化物位錯(cuò)演化機(jī)制及光電神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

北美科學(xué)家研發(fā)出一種新型超薄晶體薄膜半導(dǎo)體

我國(guó)攻克1200V以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

中國(guó)科學(xué)院鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)半導(dǎo)體所有源光束掃描激光器研發(fā)取得進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在可調(diào)諧MEMS-VCSEL研究方面取得進(jìn)展

北京大學(xué)在GaN功率器件可靠性與集成技術(shù)方面取得系列進(jìn)展

江蘇通用半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

西安電子科技大學(xué)攻克 1200V 以上增強(qiáng)型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

北大王瑋教授團(tuán)隊(duì)在芯片熱管理領(lǐng)域取得進(jìn)展

積塔半導(dǎo)體BCD復(fù)合高壓隔離器平臺(tái)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)：積沙成塔，用“芯”取得新突破

中國(guó)科學(xué)家在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲突破登上《自然》雜志

名古屋大學(xué)天野浩團(tuán)隊(duì)Nature發(fā)文：氮化鎵的2D-Mg摻雜現(xiàn)象

Nano Lett.∣高效載流子倍增實(shí)現(xiàn)紫外光電探測(cè)器EQE突破

西安交大劉明教授團(tuán)隊(duì)在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進(jìn)展

808nm高功率半導(dǎo)體激光芯片取得重大突破

晶合集成申請(qǐng)半導(dǎo)體專利，能提高半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性和平衡性

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：無(wú)刻蝕損傷的microLED像素制造技術(shù)

呂堅(jiān)院士團(tuán)隊(duì) l 3D打印莫來(lái)石增強(qiáng)的碳化硅氣凝膠復(fù)合材料

復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國(guó)內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

我國(guó)高性能光子芯片領(lǐng)域取得突破可批量制造！

技術(shù)進(jìn)展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

中國(guó)科大孫海定教授和武大劉勝院士Nature Electronics封面論文: 發(fā)明新型氮化鎵光電二極管

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

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