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芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結(jié)構(gòu)及其制造方法”專利公布

長(zhǎng)飛先進(jìn)與懷柔實(shí)驗(yàn)室簽署碳化硅功率器件成果合作轉(zhuǎn)化意向協(xié)議

中晶科技:已在國(guó)內(nèi)分立器件用單晶硅棒、研磨硅片以及半導(dǎo)體功率芯片及器件領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先的市場(chǎng)地位

華潤(rùn)微：重慶12吋產(chǎn)線聚焦功率器件預(yù)計(jì)下半年可實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)

英飛凌144億工廠落成，8英寸碳化硅器件年底量產(chǎn)

華光光電申請(qǐng)一種大功率半導(dǎo)體激光器晶圓P面圖形化電鍍金的方法專利

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

憶芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”專利獲授權(quán)

總投資超4億元，百事聯(lián)電子元器件產(chǎn)品建設(shè)項(xiàng)目在廈門海滄開工

全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布

總投資90億元，萊寶高科湖州微腔電子紙顯示器件項(xiàng)目開工

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

致元器件采購商們的一封信

星曜半導(dǎo)體：推出世界最小尺寸雙工器芯片

南芯科技發(fā)布支持跛行模式的車規(guī)級(jí)8通道半橋驅(qū)動(dòng)器

北科大與新紫光共同開展二維半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)學(xué)研合作

高可靠性高功率半導(dǎo)體器件IDM項(xiàng)目在宜興簽約總投資約30億元

投資4900萬元，拓普泰克智能控制器研發(fā)中心落地西咸新區(qū)

總投資約30億！宜興又簽約一項(xiàng)功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目

中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所董煥麗課題組在高偏振紫外日盲有機(jī)光探測(cè)器方面取得新進(jìn)展

英諾賽科“含有硅摻雜氮化鋁層的半導(dǎo)體器件及其制造方法”專利獲授權(quán)

中芯集成-U 申請(qǐng) MEMS 器件及其制備方法專利，避免大量自由電荷堆積在振膜中

CASAS SiC功率器件與模塊工作組第二次會(huì)議成功召開

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

清純半導(dǎo)體“半導(dǎo)體功率器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

復(fù)旦大學(xué)IGBT功率循環(huán)測(cè)試儀器（第二次）國(guó)際招標(biāo)公告

三安半導(dǎo)體“氮化鎵功率器件的制備方法、氮化鎵功率器件”專利公布

廣州增芯科技12英寸先進(jìn)智能傳感器及特色工藝晶圓制造產(chǎn)線項(xiàng)目成功通線

中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）項(xiàng)目樁基建設(shè)啟動(dòng) 總投資52.9億元

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